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激光技术了解激光技术的一般知识,掌握激光技术在军事上的一般应用,并掌握激光对抗的一般措施。
激光技术 教 学 要 求 了解激光技术的一般知识,掌握激光技术在军事上的一般应用,并掌握激光对抗的一般措施。 主 要 内 容 第一节 激光概述 第二节 激光技术在军事上的应用 第三节 激光对抗与防护 第一节 激光概述 一、什么是激光 激光是利用光能、热能、电能、化学能或核能等外部能量来激励物质,使其发生受激辐射而产生的一种特殊的光。(《中国大百科全书》军事卷P608) 二、激光的产生 自 发 辐 射 处于激发态上的原子很不稳定,回到基态后即会放出原子,称为自发辐射。 受 激 辐 射 两个光子在
所属分类:
嵌入式
发布日期:2010-03-01
文件大小:3145728
提供者:
wshimeguai
半导体器件概述 LevelSet
半导体材料综合分析 LevelSet分析法,空穴半导体材料综合分析 LevelSet分析法,空穴半导体材料综合分析 LevelSet分析法,空穴
所属分类:
嵌入式
发布日期:2011-07-10
文件大小:828416
提供者:
index61index
光机系统设计part1
在对一个快速发展的领域进行了充分研究后,《光机系统设计(原书第3版)》的改进要点如下: 对光机领域内的最新发展和技术进行了详细的回顾: 采用统计学的方法评估光学件(系统)的寿命及使光学件的断裂应力达到最大化的方法: 提出了新的理论来阐述温度变化对安装应力和压力的影响; 对空间环境的特性,对环境敏感的设备所需要的振动标准及激光对光学件的损伤重新进行了讨论; 给出了新材料机械性能的最新列表。 无论读者是在设计一台高分辨率的投影仪或者是最敏感的空间望远镜,都可以在《光机系统设计》(原书第3版)中找到
所属分类:
专业指导
发布日期:2013-03-12
文件大小:28311552
提供者:
lufan2008
光机系统设计part2
在对一个快速发展的领域进行了充分研究后,《光机系统设计(原书第3版)》的改进要点如下: 对光机领域内的最新发展和技术进行了详细的回顾: 采用统计学的方法评估光学件(系统)的寿命及使光学件的断裂应力达到最大化的方法: 提出了新的理论来阐述温度变化对安装应力和压力的影响; 对空间环境的特性,对环境敏感的设备所需要的振动标准及激光对光学件的损伤重新进行了讨论; 给出了新材料机械性能的最新列表。 无论读者是在设计一台高分辨率的投影仪或者是最敏感的空间望远镜,都可以在《光机系统设计》(原书第3版)中找到
所属分类:
专业指导
发布日期:2013-03-12
文件大小:24117248
提供者:
lufan2008
微系统封装基础
国际上第一本微系统封装的参考书,目录如下: 1 微系统封装导论 1.1 微系统概述 1.2 微系统技术 1.3 微系统封装(MSP)概述 1.4 微系统封装的重要性 1.5 系统级微系统技术 1.6 对微系统工程师的期望 1.7 微系统及封装技术发展史 1.8 微系统及封装技术发展史 1.9 练习题 1.10 参考文献 2 封装在微电子中的作用 2.1 微电子概述 2.2 半导体的特性 2.3 微电子器件 2.4 集成电路(IC) 2.5 IC封装 2.6 半导体技术发展路线图 2.7 IC封
所属分类:
硬件开发
发布日期:2013-09-03
文件大小:50331648
提供者:
violetxuling
全国大学生电子设计竞赛培训教程
很全很系统的电子设计竞赛教程 全国大学生电子设计竞赛训练教程 目 录 第1章电子设计竞赛题目与分析 1.1 全国大学生电子设计竞赛简介 1.1电子设计竞赛题目.doc(49 KB, 下载次数: 4829) 1.2 全国大学生电子设计竞赛命题原则及要求 1.2.1 命题范围 1.2.2 题目要求 1.2.3 题目类型 1.2.4 命题格式 1.2.5 征题办法 1.3 电子设计竞赛的题目分析 1.3.1 电源类题目分析 1.3.1 电源类题目分析.doc(110.5 KB, 下载次数: 7116
所属分类:
其它
发布日期:2014-05-11
文件大小:13631488
提供者:
u010102994
电子设计竞赛
1.1 全国大学生电子设计竞赛简介 1.2 全国大学生电子设计竞赛命题原则及要求 1.2.1 命题范围 1.2.2 题目要求 1.2.3 题目类型 1.2.4 命题格式 1.2.5 征题办法 1.3 电子设计竞赛的题目分析 1.3.1 电源类题目分析 1.3.2信号源类题目分析 1.3.3无线电类题目分析 1.3.4放大器类题目分析 1.3.5仪器仪表类题目分析 1.3.6数据采集与处理类题目分析 1.3.7控制类题目分析 第2章 电子设计竞赛基础训练 2.1 电子元器件的识别 2.1.1 电
所属分类:
其它
发布日期:2014-06-02
文件大小:10485760
提供者:
baidu_15309221
光纤通信原理与系统 高清带书签
1 光纤通信概论 1 1.1 光纤通信的发展史 1 1.2 光纤通信系统 3 2 光纤 6 2.1 概述 6 2.2 光线在光纤中的传输 9 2.2.1 阶跃光纤中的光线分析 9 2.2.2 梯度光纤中的光线分析 10 2.2.3 平面光波导 13 2.3 光纤的波动理论 17 2.3.1 波动方程 17 2.3.2 归一化变植 18 2.3.3 贝塞尔方程的场解 19 2.3.4 特征方程 21 2.3.5 线偏振校及其特性 22 2.3.6 传播常数卢与归一化频率V 的关系 24 2.3.
所属分类:
电信
发布日期:2018-10-04
文件大小:14680064
提供者:
zhongguodachuan
SiC光导开关特性分析.pdf
光导开关因其具备开关速度快、传输功率大、同步精度高、触发抖动小、器件结构简单、使用寿命长、近乎完美的光电隔离和不受电磁干扰等优良特性在超宽带脉冲,超快电子等领域表现出诱人的发展潜力和应用前景。 本文首先对光导开关的发展历史做了简要回顾,概述了光导开关的发展状况,介绍了光导开关的两种主要的工作模式,同时对用于制作光导开关的半导体材料进行了简要分析。在对光导开关材料分析的基础上,提出了一种新的异质结碳化硅光导开关器件结构。该结构可以把碳化硅材料的优良特性与光导开关的杰出优点有机结合,可以增大光
所属分类:
其它
发布日期:2019-07-23
文件大小:2097152
提供者:
weixin_39840387
CMOS有源像素图像传感器的成像原理分析.pdf
今天,互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS),又称有源像素传感器(APS),是最流行的成像技术,每年生产数十亿种图像传感器,它们占成像仪市场的90%左右,几年内应该超过95%。。与电荷耦合器件(CCD)的主要替代成像技术相比,CISS具有功耗低、集成度高、速度快和集成芯片(甚至像素内部)先进CMOS功能的能力等主要优点。由于最新的技术创新,CISS目前,在图像质量和灵敏度方面与CCD的性能相匹配,甚至在数字单透镜反射、科学仪器和机器视觉等高端应用中也处于领先地位。由于这些优点,C
所属分类:
其它
发布日期:2019-07-23
文件大小:2097152
提供者:
weixin_39841856
氧化锌材料的制备与应用概述
氧化锌材料的制备与应用概述,杨丽萍,刘锋, 作为宽禁带半导体材料,ZnO具有大的激子束缚能,其禁带宽度对应于紫外光的波长,因此ZnO可用于制作蓝绿光、蓝光、紫外光等多种�
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-01
文件大小:252928
提供者:
weixin_38534344
晶体生长资料的概述论
晶体材料行业,半导体恒业,新能源,太阳能能源开发。电子半导体。
所属分类:
制造
发布日期:2011-07-13
文件大小:671744
提供者:
QQ642941534
PTC热敏电阻器基础知识.ppt
PTC热敏电阻器概述、 常用术语、 物理特性、 技术特性、 应用场合、 失效模式及选型。 PTC是Positive Temperature Coefficient 的缩写, 意思是正的温度系数, 泛指正温度系数很大的半导体材料或元器件。 通常我们提到的PTC是指正温度 系数热敏电阻, 简称PTC热敏电阻。 PTC热敏电阻是一种典型具有温度敏感性 的半导体电阻, 超过一定的温度(居里温度)时, 它的电阻值随着温度的升高呈 阶跃性的增高
所属分类:
电信
发布日期:2020-07-29
文件大小:1048576
提供者:
garett_china
显示/光电技术中的概述LED芯片生产过程与MOCVD知识
LED外延片(外延片) LED芯片产生前的LED外延片生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法。 MOCVD 金属有机物化学气相淀(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,简称 MOCVD), 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-11
文件大小:59392
提供者:
weixin_38669881
传感技术中的温度传感器的概述
热敏电阻式温度传感器是用陶瓷半导体材料掺人适量氧化物,根据所需要的形状,在高温下烧结而成的温度系数很大的电阻体制成。在工作范围内,按陶瓷半导体的电阻与温度的特性关系,热敏电阻可以分成三种类型。一种是负温度系数热敏电阻(NTC),在工作范围内,其电阻值随温度的升高而减小,如图中曲线1所示;一种是正温度系数热敏电阻(PTC),在工作范围内,其电阻值随温度的升高而增加,如图中曲线2所示;另一种是临界温度热敏电阻(CTR),在临界温度时,其阻值发生锐变,如图中曲线3所示。 石蜡式温度传感器用石蜡制
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-15
文件大小:52224
提供者:
weixin_38685608
微波功率器件材料的发展和应用前景
1 概述 有Ge、Si、Ⅲ-V化合物半导体等材料制成的工作在微波波段的二极管、晶体管称为微波器件。微波即波长介于1m~1mm之间的电磁波,相应频率在300MHz~300GHz之间,表1是常用波段的名称及相应的频率范围。 微波半导体器件在微波系统中能发挥各方面性能,归纳起来,即在微波功率产生及放大,控制、接收三个方面。而微波功率器件要求有尽可能大的输出功率和输出效率及功率增益。 进入20世纪90年代后,由于MOCVD(金属有机化学气相淀积)和MBE(分子束外延)技术的发展,以及化合物材料
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-10
文件大小:160768
提供者:
weixin_38704786
半导体制造概述
在电子学中半导体器件已经被使用很久了。在19世纪末期第一个固态整流器就被开发出来了。1907年发明的方铅矿晶体检波器被广泛的用来制作晶体收音机。到1947年,在充分理解半导体物理的基础上,Bardeen和Brattain都制作出了第一只双极型晶体管。1959年,Kilby制作的第一块集成电路,从此揭开了现代半导体制造时代的序幕。 制造大量的可靠的半导体器件的障碍本质上来说主要是技术性而不是科学性的。对于制作材料的严苛的纯净度和精确尺寸的控制的要求使得早期的晶体管和集成电路无法发挥他们应有的潜
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:35840
提供者:
weixin_38705558
半导体材料概述
半导体材料是电子工业的重要基础材料。从五十年代后期开始半导体材料及其工艺设备的研制,是我国半导体和红外材料的主要研究、开发、生产基地,为国家电子信息工业和国防建设做出了重大贡献。 主要研究领域有: ※ 用于超大规模集成电路的优质直拉大直径硅单晶及抛光片 ※ 用于外延衬底的重掺杂直拉硅单晶及抛光片 ※ 功率器件用大直径区熔硅单晶及晶片 ※ 用于超高速电路的半绝缘砷化镓单晶及晶片 ※ 多种用途的水平砷化镓单晶及晶片 ※ 应用于光电子等领域的磷化镓、磷化铟、锑化镓、砷化铟单晶及晶片
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:34816
提供者:
weixin_38518885
概述LED芯片生产过程与MOCVD知识
LED外延片(外延片) LED芯片产生前的LED外延片生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法。 MOCVD 金属有机物化学气相淀(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,简称 MOCVD), 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-19
文件大小:57344
提供者:
weixin_38746926
温度传感器的概述
热敏电阻式温度传感器是用陶瓷半导体材料掺人适量氧化物,根据所需要的形状,在高温下烧结而成的温度系数很大的电阻体制成。在工作范围内,按陶瓷半导体的电阻与温度的特性关系,热敏电阻可以分成三种类型。一种是负温度系数热敏电阻(NTC),在工作范围内,其电阻值随温度的升高而减小,如图中曲线1所示;一种是正温度系数热敏电阻(PTC),在工作范围内,其电阻值随温度的升高而增加,如图中曲线2所示;另一种是临界温度热敏电阻(CTR),在临界温度时,其阻值发生锐变,如图中曲线3所示。 石蜡式温度传感器用石蜡制
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-19
文件大小:54272
提供者:
weixin_38560275
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