根据硅片生产流程，首先通过提纯硅氧化得到多晶硅，其后通过单晶硅生长工艺得到硅 片原始材料单晶锭，再通过切片、研磨、抛光等硅片制造工艺得到抛光硅片。通过对抛 光硅片进行特殊工艺处理，可得到退火片、外延片等具备特殊性能硅片。直拉法生长技术是目前较为主流长晶工艺。单晶硅是由单一籽晶生长的单晶体硅材料， 它具有晶格完整、缺陷和杂质很少等特点。根据单晶硅生长方式进行分类，可将其分为区熔单晶硅（FZ-Si）和直拉单晶硅（CZ-Si），其中所涉及的工艺为区熔法和直拉法。 相较于区熔法，直拉法能支持 12 英寸
