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  1. 硅上CdZnO薄膜的电泵浦波长可调蓝色随机激光

  2. 到目前为止，亚稳态CdZnO薄膜的电泵浦激光作用尚未实现。 在这里，我们已经演示了从具有不同Cd含量的六方CdZnO薄膜中电泵浦波长可调谐的蓝色随机激光，其中心波长从相似的490 nm变为425 nm。 构造了基于硅衬底上的Au / SiO2 / CdZnO的金属-绝缘体-半导体结构的器件，用于电泵浦CdZnO膜。 器件中CdZnO薄膜上的SiO2绝缘层应在足够低的温度（例如400摄氏度）下进行退火，以使CdZnO薄膜在近带边缘发射方面保持其完整性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：1009664
    • 提供者：weixin_38623249

  1. 离子注入和激光退火

  2. 近年来，激光退火与离子注入技术相结合已在半导体和金属物理领域中获得应用。讨论了激光与固体表面相互作的物理机制。报道了有关激光照射前放射性原子注入到表面的扩散的研究情况。本文报道了激光退火的现状，这种工艺过程对于辐射损伤无定形硅重结晶的重要性以及在半导体物理中的应用前景。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38731027

  1. 波士顿会议支持激光退火熔化模型

  2. 11月16日至20日在波士顿材料研究学会年会期间召开的激光和电子束与固体相互作用专题讨论会，是至今为止该领域的一次最大集会。来自14个国家的代表提交了128篇论文,内容包括基本作用机理，束加工技术应用于半导体器件制作和材料特性转变等。出席讨论会的代表多达400人。下面是会议付主席，贝尔实验室的塞拉（G. K. Oeller)和橡树岭国家实验室的阿普尔顿（Β. R. Appleton)为“Laser Focus”准备的报导。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38626943

  1. 脉冲激光辐照下半导体薄膜中温度场的计算

  2. 利用理论模型求得了脉冲激光辐照半导体薄膜材料的温度场解析解。结合KrF准分子脉冲激光对淀积在熔凝石英衬底上的a-SiH薄膜以及a-Si:H/a-SiNx:H多量子阱结构材料的热退火处理,分析了膜厚、激光能量密度以及a-Si:H/a-SiNx:H多量子阱结构材料中的子层厚度比对温度场性质及a-Si:H薄膜的晶化效果的影响。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38633083

  1. 硅锗薄膜上量子点的受激发光

  2. 脉冲激光在SiGe合金样品表面可以形成量子点结构。样品退火处理后,在720-800 nm光谱区域内存在一些受激发射峰,并且这些受激发射峰有明显的阈值行为。实验发现从Si量子点到SiGe量子点结构的变化将导致受激发光峰有明显的红移现象。由傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)分析得到:SiGe合金上氧化层中的量子点同时含有Si=O和Ge=O双键结构,这种结构可以形成电子的局域陷阱态(或陷阱态的激子)。计算显示:在SiGe量子点中Ge=O双键可以减小半导体样品中价带和局域陷阱态之间的距离。这就解释了SiG

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：936960
    • 提供者：weixin_38544075

  1. 半导体薄膜实现Nd:YVO

  2. 采用射频磁控溅射和热退火处理技术制备SiNx/Si/SiNx多层薄膜，测试了纳米硅晶粒平均尺寸、光学带隙和薄膜对1064 nm激光的非线性吸收系数。建立SiNx/Si/SiNx多层薄膜被动调Q的Nd:YVO4双波长激光器速率方程，得到双波长调Q脉冲的数值模拟结果。在激光二极管(LD)端面抽运的三镜复合腔Nd:YVO4激光器中，SiNx/Si/SiNx多层薄膜作为可饱和吸收体同时实现了双波长激光被动调Q，获得20 ns的1064 nm激光脉冲和19 ns的1342 nm激光脉冲输出。研究表明，薄膜

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-09
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38691482

  1. 激光退火加快存贮集成电路的响应

  2. 加里福尼亚州圣克拉拉的国家半导体公司用连续波激光退火已使随机存取存贮集成电路片的性能提高。虽然几年来激光退火作为“恢复”因离子注入(掺杂)损伤的一种途径有了很大的发展，但公司的此种工作似乎还是首次，他们的处理方法使集成电路的动态特性有了改善。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：837632
    • 提供者：weixin_38504089

  1. 锗的点缺陷激光退火

  2. 近来人们广泛地研究在激光作用下注入半导体中所产生的结构变化。研究者主要力量集中研究注入层从非晶态向晶态的过渡,以及离子注入时产生的辐射破坏的激光退 火。本质的问题是，激光辐射引起半导体的参数变化是多种不同退火机理作用的结果。下面我们给出锗的点缺陷激光退火数据，显然,这些结果可以用离化激活缺陷作用的假设得到解释。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38631738

  1. 表面等离子体波散射的放大

  2. 用强激光束来改善材料性质的研究人员，曾对如下无法解释的现象感到困惑：当材料在高功率激光辐射下曝光时，材料表面会出现一种似波形的或微绉纹的显微结构。这种波纹的空间尺寸等于或小于激光辐射的波长，并且也比输入激光束本身的任何象差或其它普通的干涉效应所造成的波纹更细。类似的效应曾在金属的激光淀积、半导体器件激光退火和窗口材料的激光损伤等宽广范围激光材料实验中观察到。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38748382

  1. 聚焦高斯光束光点尺寸的测量

  2. 在半导体工业开发研究领域中，如离子注入损伤的激光退火、激光增强的电镀和水溶液激光蚀刻等，激光已经日益变得不可缺少。实验结果的重复和验证需有一种精确测定激光输出功率密度的方法。聚焦高斯光束的光点尺寸是必须知道的数据。有些研究者已发表了用扫描刀口测量激光光束束腰和发散度的结果。结果是相当好的,但他们实际使用的复杂装置并不总是适用于现有的激光系统。本文介绍一种测量聚焦高斯光束直径的简便方法，其光束来自一台 Quantronix倍频Q幵关Nd:YAG激光刻划系统。该系统很易用到其它激光系统的分析中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38735987

  1. 脉冲激光退火动力学

  2. 脉冲激光退火是一种用强激光脉冲修复晶态半导体因离子植入而引起的破坏从而改善退火材料结构次序和电气特性的技术。这种技术的机制过去几年是个热烈争论的课题，但是现在从所累积的大量测量证据来看，似乎热模型比非热核型更有利。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38708707

  1. 脉冲激光退火时温升仅为300 ℃

  2. 据堪萨斯州立大学物琿学副教授康潘（Α. Compann)说，对半导体晶格温度进行的直接测定表明，在脉冲激光退火过程中晶格的温升太低，因而不至于使材料溶化。在与鲁(H. W. Lo)一起进行的实验中,康潘测得，用焦耳/厘米2的488毫微米波长激光辐照时，硅晶体的温升仅为300 ℃,此值远高于此波长下的退火阈值。硅的熔点为1412 ℃。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：717824
    • 提供者：weixin_38629042

  1. 微微秒激光退火获得的半导体表面衍射光栅

  2. 目前，使用微微秒脉宽的强脉冲激光辐射的离子注入层退火获有重要意义。这不仅取决于与激光退火的物理机理的暴露有关的问题(特别是,非热过程的作用），而且还取决于超短激光脉冲作用于半导体的实际应用新的可能性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：545792
    • 提供者：weixin_38643401

  1. 超快速激光退火

  2. 单晶硅几乎是每种近代半导体电子器件的心脏部分。制造这种器件需要经过一系列复杂的工艺步骤，其中包括引进少量杂质以调整所要求的电学特性。目前，这种工艺的中心环节之一涉及在炉子里加热到1000 ℃,时间达30分钟左右。然而，最近几年发展了一种全新的热处理工艺技术。与传统的工艺相比，这种方法是用短脉冲强激光辐射只加热器件的表面层，而不是加热整个硅片。这种新颖的工艺为生产新型层状器件结构开辟了广阔的前景。另外，也为基本材料研制工作的提高提供了更多的机会。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：715776
    • 提供者：weixin_38738511

  1. 半导体的激光退火

  2. 对半导体元件的激光退火虽然进行了认真的研究，但还没有使此项技术用到任何生产线上。不过，已导致器件样机的制作，并对它的基础物理学有较多的了解。进一步进展可能导向制作半导体的新途径，使用激光退火消除在掺杂和晶体生长期间产生的缺陷。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38555229

  1. 基于TDLAS的二维温度场重建算法

  2. 可调谐半导体激光吸收光谱（TDLAS）技术结合层析成像（CT）算法能实现流场温度、浓度等信息的二维重建测量。为研究层析成像算法对温度场二维重建质量的影响，实现了两种典型重建算法：代数迭代重建算法（ART）和模拟退火（SA）算法。在不同的射线分布和吸收谱线数目情况下，使用两种算法对给定单峰温度场和双峰温度场分别进行重建仿真，比较分析了两种算法的重建结果。仿真结果表明，影响代数迭代重建算法重建质量的主要因素是射线分布，而模拟退火算法则对吸收谱线数较为敏感；对于单峰温度场，代数迭代重建算法重建结果的最

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：10485760
    • 提供者：weixin_38562626

  1. 超短脉冲激光半导体材料退火

  2. 脉冲激光退火技术从2074年问世以来一直被认为是一种热处理方式。皮秒范围内的超短脉冲退火可以用热模型解释。飞秒或脉宽更短的超短脉冲激光可以直接通过电子激发来实现晶格结构的改变，在低于熔点的情况下完成退火。超短脉冲激光退火属于非热模型退火，是一种新型的退火方式。主要介绍了两种退火模型的基本原理，概括了超短脉冲激光退火发展的历史和现状，并分析了其未来的研究趋势。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：12582912
    • 提供者：weixin_38602189

  1. 半导体的激光退火

  2. 描述了半导体激光退火的基本原理、方法、优异性能及其应用情况;讨论了退火过程中热和光的作用；提出了基础理论方面尚待研究的主要问题。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38695773

  1. 两家公司供应激光退火机

  2. 尽管激光退火机明显地还没有用在任何半导体生产线上，但许多实验室用此技术进行的实验，使两台商品系统进入市场。Interactive Radiation公司和Quantronix公司在制成定制样机之后开始向市场销售退火机；两个系统都使用Nd-YAG激光器，发射0.53和1.06微米。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：649216
    • 提供者：weixin_38632046

  1. 离子注入半导体的激光退火

  2. 叙述了用高功率激光辐射退火的离子注入硅的物理和电学性能。重点放在用激光退火和用常规热退火可以得到的材料性能的对比上。讨论了这些技术在高效率太阳电池制作上的应用，以及这种新技术在其它材料领域的可能应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38544625
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