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搜索资源列表

  1. 半导体测试各种项目简介

  2. 目录：www.2ic.cn#O/t'N:I6X 1， 测量可重复性和可复制性(GR&R) 2， 电气测试可信度（Electrical Test Confidence） 3， 电气测试的限值空间（Guardband）:r1S/K4S%A7D)~!r 4， 电气测试参数 CPK半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA ,p

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2009-11-09
    • 文件大小：99328
    • 提供者：xiaoyuyu9172

  1. Proteus元件库对照表

  2. AT89C51 Proteus元件 proteus元件库介绍 AND 与门 ANTENNA 天线 BATTERY 直流电源 BELL 铃,钟 BVC 同轴电缆接插件 BRIDGE 1 整流桥(二极管) BRIDGE 2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器 BUZZER 蜂鸣器 CAP 电容 CAPACITOR 电容 CAPACITOR POL 有极性电容 CAPVAR 可调电容 CIRCUIT BREAKER 熔断丝 COAX 同轴电缆 CON 插口 CRYSTAL 晶体振荡器 DB 并行

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2018-04-24
    • 文件大小：67584
    • 提供者：qq_39188039

  1. bh1750FVI中文数据手册.pdf

  2. 单片机和嵌入式开发中常用的16位数字输出型环境光强度传感器（IIC接口）BH1750FVI Technical Note ●参考数据 100000 10000 000 比 量 H-Res 0816243240485 10100100010000100000 400500000700800900100010 波长m1 光强度[k1 光强度【xl Fig.1光谱响应 Fig2光强度测量结果1 Fg3光强度测量结果2 测 H-Res Angle deg I Angle deg 1 0020406080

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-16
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：mculover666

  1. 元器件应用中的光电二极管的分类

  2. 光电二极管" 英文通常称为 Photo-Diode 　　光电二极管和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但是，在电路中不是用它作整流元件，而是通过它把光信号转换成电信号。那么，它是怎样把光信号转换成电信号的呢？大家知道，普通二极管在反向电压作用在处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用在工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：143360
    • 提供者：weixin_38639747

  1. DEK推出新型Horizon APi机器及展示Photon高速高性能印刷机

  2. DEK公司推出领先市场的印刷机系列的最新成员Horizon APi，并同时展示重点推介的DEK Photon印刷机。 　　全新orizon APi has the highest speedHHHorizon APi 结合备受欢迎的Horizon系列的强大功能和高产量特点，再加上DEK创新的Instinctiv 用户界面，提供10秒周期的高速配置和出色的精确度和可重复性。這種高水平的功能可讓区內的 Horizon APi 用户组装具备最新封装和外形的半导体器件，以及外形尺寸超小的SMD无源元件

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38632146

  1. 传感技术中的台积电拟进行新一代传感器制造

  2. 台积电近日宣布，与美商伊士曼柯达(Eastman Kodak)签订技术专利授权合约，取得后者提供的四个晶体管像点架构(4T transistor pixel)及铰接光电二极管像点架构(Pinned photo-diode pixel)等技术专利，进行新一代高阶互补金属氧化半导体影像传感器(CMOS ImageSensor,CIS)的制造。 　　台积电表示，其去年为全球客户生产制造的CIS组件数量，占去年全球CIS总产量的第一位。与伊士曼柯达公司的技术专利授权，可确保所有台积CIS客户在进行新

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38656364

  1. 半导体制造-光刻-微影(Photo-Lithography)

  2. 1、正负光阻 微影光蚀刻术起源于照相制版的技术。自1970年起，才大量使用于半导体制程之图形转写复制。原理即利用对紫外线敏感之聚合物，或所谓光阻（photo-resist）之受曝照与否，来定义该光阻在显影液（developer）中是否被蚀除，而最终留下与遮掩罩幕，即光罩（mask）相同或明暗互补之图形；相同者称之「正光阻」(positive resist)，明暗互补者称之「负光阻」(negative resist)，如图2-6所示。一般而言，正光阻，如AZ-1350、AZ-5214、FD-640

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：94208
    • 提供者：weixin_38744207

  1. 半导体制造-光刻

  2. (二)微影(Photo-Lithography)1、正负光阻 微影光蚀刻术起源于照相制版的技术。自1970年起，才大量使用于半导体制程之图形转写复制。原理即利用对紫外线敏感之聚合物，或所谓光阻（photo-resist）之受曝照与否，来定义该光阻在显影液（developer）中是否被蚀除，而最终留下与遮掩罩幕，即光罩（mask）相同或明暗互补之图形；相同者称之「正光阻」(positive resist)，明暗互补者称之「负光阻」(negative resist)，如图2-6所示。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：93184
    • 提供者：weixin_38640984

  1. 基于Photo-CELIV测量载流子迁移率实验系统

  2. 搭建了一套基于Photo-CELIV测量载流子迁移率的实验系统。采用Nd3+YAG脉冲激光器作为诱导光源，在1~20 Hz的工作频率下，实验系统可输出波长为532 nm、脉宽为10 ns的激光脉冲，其能量在0.1~1 mJ范围内可调，光斑直径小于2 mm，激光器持续工作5 h后的能量不稳定度为±8%。该研究为半导体材料载流子迁移率的测量提供了一定的参考。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-04
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38696458