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搜索资源列表

  1. IGBT 驱动电路设计

  2. IGBT单管在闪光灯电路的应用 驱动电路决定了IGBT的使用！！！设计中最易出现问题，所以将资料上传，供其他匠人参考

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-10-04
    • 文件大小：461824
    • 提供者：quanxiaojie

  1. 单相逆变电源IGBT驱动电路原理图

  2. 单相桥式逆变IGBT开关管的驱动电路原理图。可以实现模块化制作和生产。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2011-07-09
    • 文件大小：57344
    • 提供者：bichao2000

  1. APT单管IGBT的PDF资料

  2. 美国APT的单管IGBT资料，详细列出了APT的各个型号的单管IGBT

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-07-14
    • 文件大小：244736
    • 提供者：lyc1973cn

  1. 三菱IGBT单管CT35SM

  2. 三菱IGBT单管CT35SM-8.pdf

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-09-01
    • 文件大小：33792
    • 提供者：liuminjun163

  1. 单相全桥逆变电路讲解ppt

  2. 对单相全桥逆变电路进行讲解，对晶闸管、MOSFET、IGBT基础器件以及主电路工作原理进行讲解

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-09-17
    • 文件大小：442368
    • 提供者：liuchaonuaa

  1. 三种IGBT驱动电路和保护方法.pdf

  2. 三种IGBT驱动电路和保护方法pdf,本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要求如下：1)提供适当的正向和反向输出电压，使IGBT可靠的开通和关断。2)提供足够大的瞬态功率或瞬时电流，使IGBT能迅速建立栅控电场而导通。3)尽可能小的输入输出延迟时间，以提高工作效率。4)足够高的输入输出电气隔离性能，使信号电路与栅极驱动电路绝缘。5)具有灵敏的过流保护能力。逻辑

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：284672
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 详解逆变H桥IGBT单管驱动+保护

  2. 在逆变器后级逆变H桥里，将MOSFET换成IGBT，可能开机带载就炸了。开始我以为是电路没有焊接好，但是换新之后照样炸掉，白白浪费了好多IGBT。后来发现一些规律，就是采用峰值电流保护的措施就能让IGBT不会炸。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38691703

  1. 基于IGBT热计算的最大化电源设计效用解决方案

  2. 能够单向传导电流的叫做二极管，计算大多数半导体器件结温的过程广为人知。通常情况下，外壳或引脚温度已知。测量裸片的功率耗散，并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示)，以计算外壳至结点的温升。这种方法适用于所有单裸片封裝，包括双极结晶体管(BJT)、MOSFET、二极管及晶闸管。但对多裸片绝缘门双极晶体管(IGBT)而言，这种方法被证实不足以胜任。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-25
    • 文件大小：373760
    • 提供者：weixin_38570278

  1. 一种适合中频感应加热电源的IGBT驱动技术

  2. 为了满足感应加热电源中对IGBT驱动与保护功能的要求，采用北京落木源电子技术有限公司生产的专用于大功率单管MOSFET和IGBT的驱动芯片TX-KA101为核心器件设计一个驱动电路。该驱动芯片具备完善的三段式过流保护功能，工作频率高(可达80 kHz),延迟时间小,驱动能力强，保护功能完善，因而非常适合10~50 kW感应加热电源的应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-30
    • 文件大小：484352
    • 提供者：weixin_38672807

  1. 基础电子中的谐振单相全桥逆变器控制方法如何确定？

  2. 导读：随着电子电力器件设计技术的不断发展，逆变器被广泛的应用在各种设计当中，其中串联谐振全桥逆变器被使用的频率更是频繁。本篇文正就针对串联谐振半桥变压器当中的脉冲密度、脉冲频率等脉冲控制方法进行了比较分析和讨论，其中尤其对频率调频与脉宽进行了着重的分析。       基本结构分析       串联谐振逆变器的基本原理图如图1所示。它包括直流电压源，和由开关S1～S4组成的逆变桥及由R、L、C组成的串联谐振负载。其中开关S1～S4可选用IGBT、SIT、MOSFET、SITH等具有自关断能力的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：151552
    • 提供者：weixin_38694800

  1. 电源技术中的基于IGBT热计算的最大化电源设计效用解决方案

  2. 计算大多数半导体器件结温的过程广为人知。通常情况下，外壳或引脚温度已知。测量裸片的功率耗散，并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示)，以计算外壳至结点的温升。这种方法适用于所有单裸片封裝，包括双极结晶体管(BJT)、MOSFET、二极管及晶闸管。但对多裸片绝缘门双极晶体管(IGBT)而言，这种方法被证实不足以胜任。     某些IGBT是单裸片器件，要么结合单片二极管作，要么不结合二极管；然而，大多数IGBT结合了联合封装的二极管。大多数制造商提供单个θ值，用于计算结点至外壳热阻抗。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：348160
    • 提供者：weixin_38705558

  1. 电源技术中的透过IGBT热计算来优化电源设计

  2. 大多数半导体组件结温的计算过程很多人都知道。通常情况下，外壳或接脚温度已知。量测裸片的功率耗散，并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示)，以计算外壳至结点的温升。这种方法适用于所有单裸片封装，包括双极结晶体管(BJT)、MOSFET、二极管及晶闸管。但对多裸片绝缘栅双极晶体管(IGBT)而言，这种方法被证实不足以胜任。     某些IGBT是单裸片组件，要么结合单片二极管作，要么不结合二极管；然而，大多数IGBT结合了联合封装的二极管。大多数制造商提供单个θ值，用于计算结点至外壳热阻抗。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：422912
    • 提供者：weixin_38524851

  1. 逆变H桥IGBT单管驱动及保护

  2. 大家都知道，IGBT单管相当的脆弱，同样电流容量的IGBT单管，比同样电流容量的MOSFET脆弱多了，也就是说，在逆变H桥里头，MOSFET上去没有问题，但是IGBT上去，可能开机带载就炸了。这一点很多人估计都深有体会。当时我看到做鱼机的哥们用FGH25N120AND这个，反映很容易就烧了，当时不以为然。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：178176
    • 提供者：weixin_38593738

  1. 一种适合中频感应加热电源的IGBT驱动技术

  2. 为了满足感应加热电源中对IGBT驱动与保护功能的要求，采用北京落木源电子技术有限公司生产的专用于大功率单管MOSFET和IGBT的驱动芯片TX-KA101为核心器件设计一个驱动电路。该驱动芯片具备完善的三段式过流保护功能，工作频率高(可达80 kHz),延迟时间小,驱动能力强，保护功能完善，因而非常适合10~50 kW感应加热电源的应用。对此驱动电路的构成、工作原理、外围电路的设计和参数设置作了详细的描述并给出实验结果，最后经部分公司在中频感应加热电源上的成功应用进一步验证了由KA101驱动芯片

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：486400
    • 提供者：weixin_38735790

  1. 电源技术中的晶闸管直流稳压器的过流和短路保护

  2. 尽管功率场效应VDMOS 和绝缘栅双极型晶体管IGBT等电力半导体元器件层出不穷,且在电力电子技术领域占据重要位置,晶闸管(可控硅) 却因耐高压耐大电流冲击的特性,仍有着稳固的阵地,受到用户的青睐。在摈弃电流采样、放大和执行等多个环节的情况下,将单结晶体管移相触发器中的晶体管误差放大器改为集成运算放大器,就可实现晶闸管直流稳压器的过流及短路保护,简化了电路结构,并提高了整机的稳定可靠性能和AC - DC变换效率。 工作原理 　　误差放大器采用集成运放的晶闸管直流稳压器的控制电路如图1 所示

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：115712
    • 提供者：weixin_38691220

  1. 电源技术中的IGBT-IPM智能模块的电路设计及在SVG装置中的应用

  2. 摘要：介绍了IGBT-IPM智能模块的基本情况和功能特点，并对该智能功率模块的相关电路设计方法和需要注意的问题进行了深入地分析，最后结合SVG装置，详细说明了该模块的应用，并给出了系统硬件结构图。 关键词：IGBT-IPM智能模块；SVG；DSP１　引言电力系统中大功率电力电子装置的开关元件主要是晶闸管和ＧＴＯ。但是，随着近年来双极功率晶体管及功率ＭＯＳＦＥＴ的问世以及生产技术的成熟，这些开关元件凭借自身优越的性能逐渐替代了晶闸管和ＧＴＯ，并朝着节能、轻便、小型化的方向迅速发展。ＩＧＢＴ－

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：110592
    • 提供者：weixin_38582506

  1. 用于电子点火的单片智能 IGBT解决方案

  2. 市场对内置保护功能的更复杂器件的需求，促使半导体公司去开发智能技术：采用与分立器件相同的工艺，增加基本元器件。　　意法半导体（ST）开发出一项智能绝缘栅双极晶体管技术：这项技术包括一个内置NMOS驱动器（以增强模式实现的横向N沟道场效应MOS管）、多晶硅二极管及电阻器的纵向绝缘栅双极晶体管。通过集成，实现了通用功能，像限流、高压钳位、热保护和静电放电保护。这种采用同一工艺制造的技术、电源级和控制元器件的背后的概念，适合许多电源应用。　　尺寸和成本不断降低的市场趋势，正在引导半导体公司去开发片上集

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-07
    • 文件大小：234496
    • 提供者：weixin_38685608

  1. RFID技术中的研究串联谐振单相全桥逆变器常用控制方法

  2. 1引言 　　随着可自关断电力电子器件的发展，串联谐振逆变电路获得越来越多的应用，各种适合于串联谐振逆变电路的控制方法不断出现。本文对常用的调幅控制、脉冲频率调制、脉冲密度调制以及谐振脉冲宽度调制等控制方法进行了讨论和比较。特别对脉宽加频率调制的控制方法进行了较详细的分析。 　　2串联谐振逆变器基本结构 　　串联谐振逆变器的基本原理图如图1所示。它包括直流电压源，和由开关S1～S4组成的逆变桥及由R、L、C组成的串联谐振负载。其中开关S1～S4可选用IGBT、SIT、MOSFET、SITH

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：143360
    • 提供者：weixin_38734506

  1. 谐振单相全桥逆变器控制方法如何确定？

  2. 导读：随着电子电力器件设计技术的不断发展，逆变器被广泛的应用在各种设计当中，其中串联谐振全桥逆变器被使用的频率更是频繁。本篇文正就针对串联谐振半桥变压器当中的脉冲密度、脉冲频率等脉冲控制方法进行了比较分析和讨论，其中尤其对频率调频与脉宽进行了着重的分析。       基本结构分析       串联谐振逆变器的基本原理图如图1所示。它包括直流电压源，和由开关S1～S4组成的逆变桥及由R、L、C组成的串联谐振负载。其中开关S1～S4可选用IGBT、SIT、MOSFET、SITH等具有自关断能力的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：177152
    • 提供者：weixin_38609765

  1. 基于IGBT混联闭环控制策略的无弧智能直流接触器

  2. 针对机械开关分断电弧造成的触头烧损问题，提出一种基于IGBT混联闭环控制策略的无弧智能直流接触器。以单管IGBT混联的方式，实现直流接触器无弧分断，同时规避了采用IGBT模块体积大、成本高的缺陷。在相应的缓冲电路基础上，辅以静态均流闭环控制策略，解决了IGBT混联造成的串联不均压和并联不均流问题，实现了IGBT的高效利用，保证触头可靠无弧分断和系统的安全稳定性。在此基础上，通过理论分析得到了缓冲电路参数的相关约束方程，为电路优化提供理论依据，进一步减小了控制模块的成本和体积。实验结果证明所提控制

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38735544
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