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  1. 变压器的设计--典型

  2. ：一般的反激式开关电源变换器的输入电压范围只能满足于1：3 的关系，即90-264VAC， 而当要输入电压范围更宽时，例如1：6.6，即90-600VAC 时，传统的固定工作频率的反激 式开关电源变换器就不能满足工程上的要求。本文介绍了利用压控振荡器(VCO)的控制方法， 来实现非常宽的输入电压范围。当输入电压变化时，变压器反馈绕组的电压也变化，使控制 IC 的振荡频率作出对应的调整，以满足非常宽的输入电压的要求。

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2010-08-07
    • 文件大小：166912
    • 提供者：xuexiao625

  1. 低相位噪声宽带LC压控振荡器设计

  2. 基于0.13 μm CMOS工艺，设计了一款低相位噪声宽带LC压控振荡器。采用开关电容阵列使VCO在达到宽调谐范围的同时保持了低相位噪声。采用可变容阵列提高了VCO频率调谐曲线的线性度。仿真结果表明，在1.2 V电源电压下，电路功耗为3.6 mW。频率调谐范围4.58 GHz-5.35 GHz，中心频率5 GHz，在偏离中心频率1 MHz处相位噪声为-125dBc/Hz。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-20
    • 文件大小：90112
    • 提供者：weixin_38612527

  1. 压控振荡器(VCO)的设计

  2. 压控振荡器(以下简称VCO)已经成为当今无线收发器系统中不可缺少的模块, 它是锁相环中最重要的block, 他的噪声性能直接决定了PLL输出相位噪声的噪声性能. 有关PLL整体的分析和设计, 我们将在后期重点讨论. 这里先重点讨论一下VCO的理论, 设计以及对于广大初学者最为关心的设计注意点.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38661087

  1. 用负阻原理设计高稳定度的压控振荡器(VCO)

  2. 压控振荡器(VCO)是锁相环路的重要组成部分。随着电子技术的发展,出现了许多集成的VCO芯片。考虑到高频率稳定度、低相噪的要求,这里采用Agilent公司生产的低噪声晶体管HBFP0450来设计VCO。常用的VCO一般有三种[1]:晶体压控振荡器、LC压控振荡器和RC压控振荡器。对于超高频段的VCO,采用LC振荡器形式;为了提高频率稳定性,采用了克拉泼电路,并进行了相角补偿。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-11
    • 文件大小：216064
    • 提供者：weixin_38605144

  1. 一款可用中频压控振荡器实现车载免提通话的电路设计

  2. 开车时候的用手接电话打电话是一件很危险的事情，那么如何开车的时候实现免提形式下的通话，减少危险呢？本文将为大家带来一种电路设计，利用一款集成的中频压控振荡器将手机音频信号转播到FM广播频段。将手机扬声器放置在麦克风附近，实现利用一款集成的中频压控振荡器（IF-VCO）将手机音频信号转播到FM广播频段。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-28
    • 文件大小：102400
    • 提供者：weixin_38738977

  1. 一种高性能CMOS电荷泵的设计

  2. 文中提出了一种基于伪差分结构的具有高输出阻抗和高充放电流匹配率的电荷泵电路。主要功能是将鉴频鉴相器(PFD)的输出信号up和down转换为模拟的连续变化的电压信号，用于控制压控振荡器(VCO)的振荡频率。当PFD的up输出信号起作用时，电荷泵的电流源对环路滤波器进行充电，VCO的压控端电压升高，VCO的振荡频率也相应改变。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-29
    • 文件大小：187392
    • 提供者：weixin_38701952

  1. 一种用于铷原子钟的低相位噪声压控振荡器

  2. 基于相干布局囚禁(CPT)现象研制的原子钟与传统原子钟相比，能够提供更高的时间精度，且有利于原子钟向微型化、低功耗方向发展。在不同种类的CPT原子钟中，铷原子钟应用最为广泛，而其性能的优劣很大一部分取决于自身内部的用于提供微波信号源的压控振荡器（VCO）。基于此，利用高品质因数的同轴谐振器和Clapp振荡电路，首先根据负阻分析法使电路快速起振，并结合虚拟地技术对电路参数进行优化，完成了一个小体积、低相位噪声的3.035 GHz压控振荡器的设计。其相位噪声为-60.49 dBc/Hz300 Hz、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：381952
    • 提供者：weixin_38714370

  1. GPS校频的压控振荡器设计[图]

  2. 提高压控振荡器(VCO)的频率稳定度和噪声抑制能力，是基于反馈控制原理与GPS驯服校频技术频标产生电路获得高稳定度、高准确率的标准频率信号的关键。综合差分对型VCO，LC型VCO的优点，研究压控振荡器的噪声与频率调节范围及稳定时间的关系，设计一种全差分结构的LC型压控振荡器(使用COMS电容阵列作LC元件)，具有较高的电源噪声和衬底噪声抑制能力。仿真结果表明，该压控振荡器的频率稳定时间短，准确度锁定在GPS标准的准确度上。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：215040
    • 提供者：weixin_38556737

  1. 模拟技术中的增加RC压控振荡器的频率区间

  2. 典型的电压-频率转换器也叫VCO（压控振荡器），其中IC的输入电压对输出频率有一个简单的调节特性。它的一般形式为F=kV/RC,其中，RC是相关定时电阻与电容的时间常数。这些器件的输出频率范围很广，但很少有器件能够在一组RC时间常数的整个区间内做调谐。但是，如果随输入电压的变化而改变定时比率，则可以用一个实现方法，将调谐区间放大到几乎整个频率范围。 　　实现这一目标的方法之一是用一个可变电容替代定时电容，可变电容值可随其偏压而作反向改变，这就是变容二极管。对于本设计，考虑采用ADI公司的AD6

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：166912
    • 提供者：weixin_38500630

  1. 基础电子中的基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计

  2. 引言　　随着移动通信技术的发展，射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器(VCO)，是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VCO电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件，然而在用实际工艺实现电路时，会发现变容二极管的品质因数通常都很小，这将影响到电路的性能。于是，人们便尝试采用其它可以用CMOS工艺实现的器件来代替一般的变容二极管，MOS变容管便应运而生了。　　MOS变容管　　将MOS晶体管的漏，源和衬底短接便可成为一个简单的MOS电容，其电容值随栅极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：182272
    • 提供者：weixin_38651812

  1. 压控振荡器(VCO)的设计

  2. 压控振荡器(以下简称VCO)已经成为当今无线收发器系统中不可缺少的模块,它是锁相环中最重要的block,他的噪声性能直接决定了PLL输出相位噪声的噪声性能.有关PLL整体的分析和设计,我们将在后期重点讨论.这里先重点讨论一下VCO的理论,设计以及对于广大初学者最为关心的设计注意点.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：95232
    • 提供者：weixin_38697171

  1. 一个低抖动比1 GHz环形VCO的设计与实现

  2. 通过对Weigandt模型进行噪声分析，采用一种改进的差分延迟单元结构，成功设计了一个稳定输出1 GHz的环形压控振荡器。同时，采用SMIC 0.18 μm标准CMOS工艺流片，在输出端增加钳位管和正反馈管使输出电位能够快速转变为给定值，已达到高速振荡频率和较低噪声比的效果。流片后测试结果表明，当控制电压为30 μV～800 mV时，输出频率可达740 MHz～1.3 GHz，并与输入电压之间呈现良好的线性性；在中心振荡频率为1 GHz时，噪声电压与信号电压的比满足设计要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-18
    • 文件大小：291840
    • 提供者：weixin_38637272

  1. 低相位噪声宽带LC压控振荡器设计

  2. 基于0.13 μm CMOS工艺，设计了一款低相位噪声宽带LC压控振荡器。采用开关电容阵列使VCO在达到宽调谐范围的同时保持了低相位噪声。采用可变容阵列提高了VCO频率调谐曲线的线性度。仿真结果表明，在1.2 V电源电压下，电路功耗为3.6 mW。频率调谐范围4.58 GHz-5.35 GHz，中心频率5 GHz，在偏离中心频率1 MHz处相位噪声为-125dBc/Hz。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：688128
    • 提供者：weixin_38611796

  1. RFID技术中的ST发布一款射频合成器集成嵌入式压控振荡器

  2. 意法半导体今天发布了一款带有嵌入式压控振荡器（VCO）的多频带射频合成器STW81100。ST的设计人员利用该公司丰富的射频设计经验和世界一流的BICMOS硅锗（SiGe）制造工艺，成功开发出了能够大幅减少材料成本和占板面积更小的集成电路，新产品是ST开发的内建PLL（锁相环）与VCO的高度集成射频解决方案的第一款产品。　　STW81100是一款带有VCO的多频带集成射频合成器，适用于无线通讯与测试设备系统。STW81100具有高性能、高集成度、低功耗、多频带功能等特性，是一款将PLL与VCO集

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38660327

  1. RFID技术中的ST新的集成压控晶振的射频合成器将频率输出扩展到5GHz

  2. 意法半导体推出了该公司新开发的在当今市场上频率覆盖率最高的集成压控振荡器(VCO)的射频合成器。ST的STW81103是第一个输出频率高达5GHz的单片射频合成器，满足了微波无线电应用领域的设备制造商对注重空间和成本效益的解决方案的需求。这些元器件的目标应用包括无线网络基础设施、CATV系统、仪表和测试设备。 　　频率合成器是大多数射频前端设计的基础，其性能高低对整个系统的运行有很大的影响。相位噪声最小化和宽带频率范围最大化是今天的通信设备对信号源组件的主要需求。 　　以满足这些需求为目的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38622227

  1. 模拟技术中的使用可编程逻辑器件的压控振荡器

  2. VCO（压控振荡器）是一种模拟电路，所以在数字可编程芯片设计库中找不到VCO。当需要用这种电路来实现同步或时钟频率倍增时，必须找到一种可与标准数字功能元件（如"与"门和"与非"门）一起使用的电路。制作可变频率振荡器的方法有好几种。例如，你可以用变容二极管来改变振荡器频率。遗憾的是，这种变容二极管的每伏频率的变化量很小。所以，采用一个倒相器和几只电容器的标准皮尔斯振荡器不适用于这样的场合。另一种方法是使用一个施密特触发器倒相器和改变充的电阻器。这种方法可能适用，但该IC滞后性的容差通常很大，所以选

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38703866

  1. 通信与网络中的意法半导体推出频率覆盖率最高的集成压控振荡器(VCO)的射频合成器

  2. 意法半导体推出了该公司新开发的在当今市场上频率覆盖率最高的集成压控振荡器(VCO)的射频合成器。ST的STW81103是第一个输出频率高达5GHz的单片射频合成器，满足了微波无线电应用领域的设备制造商对注重空间和成本效益的解决方案的需求。这些元器件的目标应用包括无线网络基础设施、CATV系统、仪表和测试设备。 　　频率合成器是大多数射频前端设计的基础，其性能高低对整个系统的运行有很大的影响。相位噪声最小化和宽带频率范围最大化是今天的通信设备对信号源组件的主要需求。 　　以满足这些需求为目的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-07
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38642349

  1. RFID技术中的ST推出集成压控振荡器的5GHz射频合成器STW81103

  2. ST推出了该公司新开发的在当今市场上频率覆盖率最高的集成压控振荡器(VCO)的射频合成器。ST的STW81103是第一个输出频率高达5GHz的单片射频合成器，满足了微波无线电应用领域的设备制造商对注重空间和成本效益的解决方案的需求。这些元器件的目标应用包括无线网络基础设施、CATV系统、仪表和测试设备。 　　频率合成器是大多数射频前端设计的基础，其性能高低对整个系统的运行有很大的影响。相位噪声最小化和宽带频率范围最大化是今天的通信设备对信号源组件的主要需求。 　　以满足这些需求为目的， S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38706603

  1. RFID技术中的基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计(图)

  2. 引言 随着移动通信技术的发展，射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器(VCO)，是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VCO电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件，然而在用实际工艺实现电路时，会发现变容二极管的品质因数通常都很小，这将影响到电路的性能。于是，人们便尝试采用其它可以用CMOS工艺实现的器件来代替一般的变容二极管，MOS变容管便应运而生了。 MOS变容管 将MOS晶体管的漏，源和衬底短接便可成为一个简单的MOS电容，其电容值随栅极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：96256
    • 提供者：weixin_38739950

  1. 基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计

  2. 引言　　随着移动通信技术的发展，射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器(VCO)，是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VCO电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件，然而在用实际工艺实现电路时，会发现变容二极管的品质因数通常都很小，这将影响到电路的性能。于是，人们便尝试采用其它可以用CMOS工艺实现的器件来代替一般的变容二极管，MOS变容管便应运而生了。　　MOS变容管　　将MOS晶体管的漏，源和衬底短接便可成为一个简单的MOS电容，其电容值随栅极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：335872
    • 提供者：weixin_38715567
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