去耦电容器的作用你知道吗？在众多电路设计的应用中都会用到去耦电容器，但设计者也往往嫌麻烦而省略了去耦电容器的使用。不要小看去耦电容器的使用，它的作用也是不容置疑的。 　　什么时候要用去耦电容器？它的作用到底是什么？下面我们将考证在不使用去耦器件时会出现什么问题。 　　图1:采用去耦和不采用去耦的缓冲电路（测量结果） 　　图1为带去耦电容器和不带去耦电容器（C1 和C2）情况下用于驱动 R-C 负载的缓冲电路。我们注意到，在不使用去耦电容器的情况下，电路的输出信号包含高频 （3.8MHz

去耦电容器的作用你知道吗？在众多电路设计的应用中都会用到去耦电容器，但设计者也往往嫌麻烦而省略了去耦电容器的使用。不要小看去耦电容器的使用，它的作用也是不容置疑的。 　　什么时候要用去耦电容器？它的作用到底是什么？下面我们将考证在不使用去耦器件时会出现什么问题。 　　图1:采用去耦和不采用去耦的缓冲电路（测量结果） 　　图1为带去耦电容器和不带去耦电容器（C1 和C2）情况下用于驱动 R-C 负载的缓冲电路。我们注意到，在不使用去耦电容器的情况下，电路的输出信号包含高频 （3.8MHz

伴随高速大容量5G通信技术而来的信号宽带化及挑战　　为了达到相当于现行网速100倍的10Gbps，如何利用比现行带宽宽数倍至数十倍的带宽已成为一大研究课题。但众所周知，若以大功率输出宽带信号，功率放大器模块（PAM）内将会出现互调失真（IMD）问题，降低信号完整性。IMD的频率与带宽成正比例关系，2阶IMD中造成问题的频率在Sub6GHz中达到400MHz，在毫米波中则达到数GHz。　　应用对象：基站的射频功率放大器模块　　去耦解决方案　　利用硅电容器的解决方案　　以下将介绍消除二阶IMD的方法

依靠村田应用半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。支持引线键合和嵌入的薄型硅电容器，厚度仅为100μm（也能根据要求薄至80μm），对于需要去耦特性的设计人员而言，这是适合嵌入用途的解决方案。 　　依靠村田应用半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。支持