课 程 设 计 任 务 书 课程设计题目 三位数电容表 功能 技术指标 设计一个电路简洁、精度高及测量范围宽的电容表，将待测电容的电容值显示到数码管，可显示 三位数字 工作量 适中 工作计划 3月8日 查资料，分析原理 3月9日 画原理图，列元器件表 3月11日 购买元器件 3月12日 安装电路 3月14日 电路调试 3月19日 结题验收 3月20日 撰写说明书 3月25日 交说明书并准备答辩 3月26日 答辩 指导教师评语 指导教师： 2010年3月 23日 目录 第1章 绪论 1 1.1设

开关电源环路中的TL431应用.pdfpdf,开关电源环路中的TL431.pdf)4卖) 由 1na-1nb= ln 2).因此 1 312s Vr 1n6= R 从这个公式我们可以析取出电流I Vr In6 R 根据R4的值(为4829),可以计算出I1的值。 26m×1.79 ≈97A 482 得到这个电流后,集电极负载R2和R3的压降可根据欧姆定律快速计算出来。 VR2=VR3=3R2I1=R31=1.9k×97m=5.7k×97m=553m(10) 这个电压离采用SPCE计算的偏置点并不

MOS管的特性也能用和双极型晶体管一样的I-V曲线来说明。图1.25中画的是增强型NMOS的典型曲线。这些曲线中source和backgate是接在一起的。纵坐标衡量的是drain电流ID，而横坐标衡量的是drain对source的电压VDS。每条曲线都代表了一个特定的GATE对SOURCE电压VGS。图1.21中是相似的双极型晶体管的特性曲线，但是MOS管的曲线是通过调节GATE电压得到的，而双极型晶体管的曲线是通过调节基极电流得到的。740)this.width=740" border=un

双极型晶体管的性能能用一幅基极电流，集电极电流和集电极－发射极电压曲线图来说明。图1.21就是一幅典型的集成NPN管的曲线图。纵坐标表示集电极电流Ic，而横坐标是集电极－发射极电压Vce。在这同一个坐标中有很多曲线，每一条都代表了一个不同的基极电流IB。这一系列曲线就表明了双极型晶体管的许多有趣的特性。 在饱和区，集电极－发射极电压太低而使集电极－基极结稍微有点正向偏置。帮助少数载流子穿越集电极－基极结的电场仍旧存在，所以晶体管还处于导通状态。由于集电极－发射极电压太低所以晶体管中的Ohmic电