我们首次使用计算机辅助设计仿真，研究了线边缘粗糙度（LER）引起的双金属栅极（DMG）Fin场效应晶体管（FinFET）的可变性的影响。 高斯自相关函数用于生成LER序列。 根据亚阈值摆幅（SS），阈值电压（VTH）和跨导（gm）的标准偏差，仿真结果表明LER引起的静电完整性变异性与控制栅极与总栅极长度之比有关。 LER引起的可变性相对于源极附近的控制栅的长度而降低。 我们的工作填补了DMG FinFET的LER引起的可变性研究的空白，并建议在整个栅极中，靠近源极的控制栅极的长度应大于或等于靠近