我们利用威尔逊流涂抹了具有323×8晶格体积的淬灭晶格QCD集成。 在接近临界温度Tc的温度下,对应于临界逆耦合βc= 6.06173(49)的六个集合用于研究拓扑电荷密度的定位。 如果Wilson流的有效涂抹半径足够大,则当β≤6.050时,集成体的Harrington-Shepard(HS)卡龙形拓扑团块的密度,大小和峰值将保持稳定,而当β≥6.055时,其密度,大小和峰值将开始明显变化。 拓扑电荷密度的逆参与比(IPR)显示出相似的结果,当β≥6.055时开始增加,而当β≤6.050时则稳