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恩智浦半导体与台积电于国际电子器件会议发表七项半导体创新技术
由飞利浦创建的独立半导体公司恩智浦半导体 (NXP Semiconductors)与台湾积体电路制造股份有限公司于美国华盛顿特区(Washington D.C.)举行的国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting,IEDM)上共同发表七篇技术文章,报告双方通过恩智浦-台积电研究中心(NXP-TSMC Research Center)合作开发的半导体技术及制程方面的创新。 在会议中,恩智浦 –台积电研究中心发表了创新的嵌入式存储技术,这与传统
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-23
文件大小:49152
提供者:
weixin_38735790
相变内存原型问世 转换速度超越闪存500倍
IBM、Macronix和Qimonda公司将在国际电子器件会议(IEDM)上宣布共同开发出一种相变内存原型,该原型的转换速度号称比传统闪存技术快500多倍。 该设备的横截面大小仅有3 x 20纳米,写数据时的功耗比传统技术的功耗降低了一半多。22纳米甚至更高节点的器件将可以通过这一技术而实现。构成该技术之核心的是一小块半导体合金,能在一个有序的晶体相位中快速变换。 这种新的存储器材料是一种锗-锑(GeSb)合金,其中添加了微量元素来改进性能。届时在IEDM大会上将会有一篇名为《利用Ge
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-30
文件大小:34816
提供者:
weixin_38622149
瑞萨科技研制高速、高可靠性的MRAM 技术(图)
瑞萨科技公司今日宣布研制出一种高速度、高可靠性的MRAM(磁阻式随机存取存储器)技术,用于系统级芯片(SoC)。 瑞萨科技运用这项技术,利用130 nm(纳米)CMOS工艺制造了存储容量为1 Mb的MRAM存储器原型样品。研究表明,在1.2 V的工作电压下,有希望在143 MHz或者更高的工作频率下高速运行,而且在一千亿次重复写入试验中进行的测量证实,它的性能并没有下降。 瑞萨科技通过与三菱电气公司合作进行的研究,取得了这些成果,并且在2004年12月14日(美国时间)在美国旧金山举行的IE
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:76800
提供者:
weixin_38614952
用于长波光纤的快响应探测器
新型光电二极管结构可望在1.55微米区有较髙的响应速率和效率,在该波长区光纤的衰减最小。为在旧金山召开的国际电子器件讨论会安排的拫告有光电导器件,超晶格结构和12支二极管的单片线性列阵。除1.55微米探测器外,会议还将听取桑迪亚实验室研制的100千兆赫器件和具有短波响应的离子注入超晶格结构。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-08
文件大小:3145728
提供者:
weixin_38656226
自身齐备的HF-DF激光器
联合飞机公司的研究实验室研制成一种循环化学激光器,它消除了危险,同时也省去了与化学系统要求的大体积。今年12月10日在华盛顿,由电气电子工程师协会举办的每年一次的国际电子器件会议上,将介绍有关这种似乎是第一台自身齐备的化学激光器的详细情况。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-08
文件大小:413696
提供者:
weixin_38747126
激光在集成电路制作中的新功用
美国国际商业机器公司的研究人员,一九七四年十二月十一日在华盛顿召开的国际电子器件会议上建议把激光器作为集成电路制作中的新工具。S. E. Schuster描述了在加工成的集成电路片上形成电连接的方法,并建议用于有缺陷的片的修理和通用片(诸如可编码逻辑列阵)的布线。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-08
文件大小:2097152
提供者:
weixin_38523618
液晶或硫化镉为光计算机提供实时输入
休斯飞机公司和贝耳实验室的研究人员在美国电气与电子工程师学会国际电子器件会议上描述了基于液晶和光电导硫化镉薄膜的光编址光阀显示。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-08
文件大小:617472
提供者:
weixin_38734269
1968年国际量子电子学会议
1968年国际量子电子学会议,将于5月14~17日,在美帝弗罗里达州迈阿密举行。会议由美帝物理学会、美帝物理协会所属的美帝光学协会组成的量子电子学联合委员会与美帝电气与电子工程师协会的电子器件与微波理论组主办。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-08
文件大小:661504
提供者:
weixin_38717031
国际电子器件会议
1970年10月份召开的国际电子器件会议上讨论了连续化学激光及非线性晶体材料的破坏。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-05
文件大小:455680
提供者:
weixin_38746387