这项研究探索了光谱发射率对铝3A21氧化表面在800 K-910 K温度下的依赖性。 在我们的实验中， InGaAs光电二极管检测器接收到来自样品的红外辐射，该检测器在1.5μm的波长下工作，带宽约为20 nm。 样品表面的温度通过求平均值来确定 这 二 R型 铂铑 热电偶 哪个 紧紧地 焊接在样品表面上。 在温度范围内首次测量之前报告光谱发射率 从 800 K至910 K. 光谱发射率随加热时间的变化在 一种 给定 温度。 这 变化 的 光谱 发射率 和 这