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搜索资源 - 在LHeC上通过单次希格斯产生来探测三线性希格斯玻色子自耦合
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在LHeC上通过单次希格斯产生来探测三线性希格斯玻色子自耦合
希格斯自耦合的确定是理解电弱对称破坏背后机制的关键因素之一。 为了避免研究双重希格斯产生的缺点,提出了一种间接的方法,该方法通过单次希格斯产生来限制希格斯三线性自耦合。 在本文中,我们研究了在未来的LHeC中通过矢量玻色子融合(VBF)过程e-p→νehj进行的希格斯自相互作用。 在NLO级别上,我们分析计算了相关过程的散射幅度,特别是由希格斯自相互作用引起的散射幅度。 然后针对通过VBF产生的希格斯产生并衰减到bb进行蒙特卡罗模拟和统计分析,利用希格斯产生,并为三线性希格斯自耦合重定标参数κλ
所属分类:
其它
发布日期:2020-05-04
文件大小:624640
提供者:
weixin_38629042