本文通过利用砷化镓（GaAs）中光注入的可变电导率，设计了一种不对称平面太赫兹（THz）超材料，该材料通过GaAs条带与两个单间隙裂环谐振器（SRR）连接，并且证明了在适当的光泵浦下SRR在THz范围内的共振转换。作为结构的中心纵臂，GaAs巧妙地插入了THz超材料的两个横臂之间，并在共振转换中起关键作用。通过调节其电导率（sigma（GaAs）），GaAs的可变电导率可以使一个双间隙SRR在物理结构中变成两个连接性单间隙SRR，同时，在THz中两个不同谐振的状态转换超材料已经实现。仿真结果表明