提出了一种基于栅极横向双极结型晶体管（BJT）对的H +离子传感器，该传感器无需传统的参考电极即可工作。 该器件是一种特殊类型的离子敏感场效应晶体管（ISFET）。 经典的ISFET具有小型化的优点，但是由于笨重且易碎的参比电极材料，很难通过单一制造Craft.io来制造。 此外，在某些情况下，参考电极需要与传感器装置分离。 所提出的器件由两个栅极侧向BJT组件组成，其中一个具有硅化物层，而另一个则不具有硅化物层。 这两个组件在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）-BJT混合模式下工作，