本文研究了化学机械抛光（CMP）过程中由晶片表面形貌引起的去除速率变化基于三维（3D）固体-固体接触模型。 在模型中，晶片形貌的高度是二维为TG（x，y）。 一种在CMP过程中计算晶片与焊盘之间的接触压力P（x，y）的新方法是建议的。 它是由模拟结果发现，当TG（X，Y）被表示为cos的线性组合 广泛的信号可以表示为线性 当3D幅值谱和3D谱图很容易获得接触压力P（x，y） 该系统的相位谱是已知的。 晶片形貌的演变包括两个方波特征， 模拟不同的密度并将其与实验数据进行比较。 这种新方法将有助于建