包含内容： 专利 大论文 小论文 5G毫米波射频前端技术复杂度成倍提升.docx Sub-6GHz频段包括800MHz、900MHz、1.8GHz、2.1GHz、2.6GHz、3.5GHz、4.9GHz .docx 3.5GHz_5G大规模MIMO数字多波束阵射频关键技术的研究_黄菲.caj 3_5GHz射频接收前端电路研究与设计_杨丽娟.caj 5G通信6GHz以下频段FBAR滤波器镀膜关键技术研究_兰伟豪.caj LTE多模接收机前端研究与设计_王肖(1).caj U

近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目前，几个研究组已利用标准的CMOS工艺开发出高性能的下变频器、低相位噪声压控振荡器（VCO）和双模数预分频器。

摘要：本文介绍了用于GSM接收机的低中频多相滤波器的设计，采用有源RC电路架构且单片全集成。设计采用TSMC 0.18um CMOS工艺，通过spectre仿真，滤波器的中心频率为110kHz，带宽200kHz，增益30dB，镜像抑制比38dB。 　　1、引言 　　随着集成电路和便携式无线传输系统的快速发展，人们正努力把各种射频（RF）与中 频（IF）功能电路都集成在同一芯片上，因而可同时降低芯片功耗和成本。 无线通信接收机的主要结构有超外差、零中频、低中频三种，其中超外差式接收机所需 的高

奥地利微电子的全方位服务晶圆代工厂业务部推出一份更加全面的 2008 年度时间表，扩展了其具有成本效益的、快速的专用集成电路（ASIC）原型服务，即所谓以多项目晶圆 (MPW) 或往复运行（shuttle run）。该服务将来自不同用户的若干设计结合在一个晶圆上，有助于众多不同的参与者分摊晶圆和掩膜成本。 　　奥地利微电子的 MPW 服务包括基于 TSMC（台积电）0.35µm CMOS 工艺的全程0.35µm尺寸工艺。兼容 SiGe BiCMOS 技术的 CMOS 有助于在一个 ASIC 中