您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. 基于OLS码的检错纠错抗辐射加固设计

  2. 由辐射粒子引起的多单元翻转(MCUs)已经成为了影响存储器可靠性的一个主要问题。而存储器抗MCUs的加固方法一般是使用可以纠正多个错误的错误纠正码(ECCs)。使用了正交拉丁方(OLS)码的故障容错系统被构造用以纠正存储器中的多个错误。OLS码是一类一步大数逻辑可译(OS-MLD)码,可以使用非常简单的大数逻辑电路来进行译码。由Verilog硬件描述语言实现设计,并且使用ModelSim进行了功能验证。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:422912
    • 提供者:weixin_38745361