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  1. 基础电子中的同步突发式SRAM

  2. 同步突发式SRAM的内部框图如图所示，它与同步管道突发式SRAM基本相同，不同之处只是在输出缓冲器中没有配置锁存器。        图 同步突发式SRAM的内部框图 　　因为没有锁存器，所以数据比管道突发类型的SRAM提前一个时钟输出。但另一方面，它很难提高时钟频率。前面曾例举的Cypress公司的同步管道突发式SRAM的时钟频率最高为166MHz，但相同系列的同步突发式SRAM的频率最高却只有117MHz。  　　在个人计算机的外部缓冲器中一般都使用了同步管道突发式SRAM，而同步突发

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38621630

  1. 基础电子中的实际的同步管道突发式SRAM

  2. 下面我们看一下实际的同步管道突发式SRAM，这次我们作为实例的产晶是Cypress公司的128K×36位的CY7C1347B。之所以采用36位而不是32位，是因为考虑到每隔8位（一个字节）能进行验证的情况。  　　CY7C1347B的内部框图如图1所示，信号种类如图2所示。这些信号除了以一字节为单位进行写人操作的BW″信号以外，还包括进行onJL位整体写入操作的GW。在CPU的突发周期中，当可以一次性更新1字大小（36位）的数据时使用GW；当从外部更新1字节或2字节大小的数据时使用BW刀信号，这

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：179200
    • 提供者：weixin_38569651

  1. 基础电子中的同步管道突发式SRAM

  2. 同步管道突发式SRAM大体的结构如图所示。这种类型的SRAM需要考虑适应CPU的突发传输模式，图中“突发控制”部分就是为此设计的电路。 　　图 同步管道突发式SRAM的内部框图 　　现在的CPU都在内部装载高速缓冲存储器，以便于提高对连续区域的存取效率。即使针对外部总线，也设计了类似提高对连续区域存取效率的总线周期，该总线周期称为突发传输周期。 　　在突发传输周期中，虽然通常是将连续4字的数据汇总后进行传输，但只要知道开始地址，之后就可确定存取地址的顺序。因此，像通常存储器的存取方式那样

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：78848
    • 提供者：weixin_38713801

  1. 基础电子中的同步突发式SRAM的突发读操作

  2. 同步突发式SRAM的突发读操作如图所示，与单一读操作相同，因为突发读操作也是在赋予地址的下一个时钟且ADV有效时，在一个时钟之后输出下一地址的数据。所以，与管道突发类型相比，整体上形成缩短了一个时钟的操作波形。 　　图  同步突发式SRAM的突发读操作   图中，在利用ADSP的突发读操作之后，追随利用ADSC的单一读周期。在不需要（已经指示到最终地址）ADV有效的过程中，由于下一地址被赋予，因此第4次的数据的读操作与赋予下一个存取地址的ADSC将同时进行。 　　欢迎转载，信息来源维库

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38609453

  1. 基础电子中的同步突发式SRAM的单一读操作

  2. 同步突发SRAM的单一读操作如图所示，与同步管道突发式SRAM不同的是，数据是在ADSP有效的下一个时钟中输出的。 　　图 同步突发SRAM的单—读操作 　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）  来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38614417

  1. 基础电子中的实际的同步突发式SRAM

  2. 我们将Cypress公司的CY7C1345B作为同步突发式SRAM的实例，它具有与CY7C1347B相同的128K×36位的结构，其内部框图如图所示。由框图可知，与CY7C1347B相比，除了没有输出寄存器以外，其他完全相同，只是将控制信号等BWn改名为BWSn，其他方面完全相同，请参照同步管道突发式SRAM的说明。 　　　　图  CY7C1347B的内部框图  　　另外，从框图我们可知，同步突发式SRAM的写人周期与同步管道突发式SRAM的相同，所以在此我们只说明读操作。  来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：97280
    • 提供者：weixin_38678406