IGBT（Isolate Gate Bipolar Transistor）是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管工作电压高、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几kHz～几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位[1~2]。 　　对于IGBT 电压型功率器件，目前有多种带保护和隔离的集成驱动芯片，如IR2110、EXB841、M57962 等，它们具有隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳