图是垂直腔面发射激光器的结构示意图。其有源区由多量子阱组成，有源区上、下两边分别由多层1／4波长厚的高、低折射率交替的外延材料形成DBR，出射光方向可以是顶部或衬底，这主要取决于衬底材料对所发出的激射光是否透明及上、下DBR究竟哪一个取值更大一些。 　　图 垂直腔面发射激光器结构示意图 　　由于垂直腔面发射激光器的这种独特结构，使得研制高性能的VCSEL的关键在于以下几点： 　　（1）由于VCSEL的腔长较短，只有数个等效波长的量级，因而其相邻模式的间距很大，一般为几十纳米。这要求材料

量子尺寸效应最实际的应用是量子阱（MQW）及用量子阱所得到的各种半导体器件，量子阱是窄带隙超薄层被夹在两个宽带隙势垒薄层之间。由一个势阱构成的量子阱结构为单量子阱，简称为SQW（Single Quantum Well）；由多个势阱构成的量子阱结构为多量子阱，简称为MQW（Multiple Quantum Well），如图所示。 　　图 量子阱激光器能带结构示意图 　　同常规的激光器相比，量子阱激光器具有以下特点： 　　（1）在量子阱中，态密度呈阶梯状分布，量子阱中首先是E1c和E1v之

量子级联激光器(QCL)是波长范围在中远红外的一类新型激光器,到目前为此,对于它的脉冲响应及调制响应等动态特性了解并不是很深入,为此以贝尔实验室在1994年发明的量子级联激光器器件模型为基础,通过分析量子级联激光器中的电子在多量子阱间输运及跃迁的单极行为,得到它的速率方程。以此为基础,通过用电路元素对方程进行改造,建立起其相应的等效电路模型,利用PSPICE电路模拟软件进行模拟仿真,得到了它的调制响应特性,对可能影响其调制特性的一些因素如各阱之间的弛豫时间进行了讨论,并与其它类型激光器作了比较,