（1）刻蚀速率：影响因素有刻蚀气体种类、活性基团的密度（例如HDP的刻蚀速率很高）、鞘层电压（通过功率、气体压力、流速、频率、浓度等工艺参量改变）。 　　（2）选择性：RIE主要用于图形转移，因而一般要面对刻蚀两种材料  已开窗口的掩模及其下方待刻蚀的材料。要求Plasma对掩模材料的刻蚀速率低于对衬底材料的刻蚀速率。这就是选择性的意思。 　　（3）边缘剖面的控制———些因素干扰了准确地复制图形。 　　①钻蚀（Undercutting）。由于离子几乎垂直地入射到衬底表面，因此片子正底面接收