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  1. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

  2. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-01-31
    • 文件大小：186368
    • 提供者：doushikuangying

  1. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

  2. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术，希望对大家有帮助

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2008-11-26
    • 文件大小：186368
    • 提供者：jiaosheng1981

  1. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术.pdf

  2. 功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流组件，不过

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：266240
    • 提供者：weixin_38744270

  1. 开关电源核心技术.pdf

  2. 开关电源核心技术pdf,开关电源是一种电压转换电路，主要工作内容是升压和降压，广泛应用于现代电子产品，因为开关三极管总是工作在开和关的状态，所以称为开关电源。维修 有些开关电源很复杂,元器件密密麻麻,很多保护和控制电路, 在没有技术支持的情况下,维修起来是一件很头疼的事。在我面对这种情 况时,首先我会找到开关管及其参与振荡的外围电路,把它从电路屮分离 出来,看它是否满足振荡的条件,如检测偏置是否正常,正反馈冇无故障, 还有廾关管本身,计关电源有板强大的保护功能,排除后检察掉制和保护 及负载电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-19
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 可直接并联大功率AC/DC转换器设计.pdf

  2. 可直接并联大功率AC/DC转换器设计pdf,随着电力电子技术的发展，电源技术被广泛应用于计算机、工业仪器仪表、军事、航天等领域，涉及到国民经济各行各业。特别是近年来，随着lGBT 的广泛应用，开关电源向更大功率方向发展。研制各种各样的大功率，高性能的开关电源成为趋势。系统的PWM部分呆用电流型控制芯片Uc3846组成波形宀生电路[4]。图3是大功率开关 电源的PWM控制的电气原理图。 113 D: DLM L℃86 本z 3 Aoun 14 DOT pM4本 RFOLT T SEN 6 ERA.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743968

  1. 电源技术中的基于大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

  2. 1.MOSFET栅极驱动电平的上升时间和下降时间功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies，SMPS)的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。     功率MOSFET和双极型晶体管不同，它的栅极电容比较大，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。因此，栅极驱动器的负载能力必须足够大，以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容(CEI)的充电。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：154624
    • 提供者：weixin_38547035

  1. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

  2. 功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：164864
    • 提供者：weixin_38696336

  1. 电子维修中的详解如何为D类放大器选取合适的参数

  2. 通过控制开关单元的ON/OFF,驱动扬声器的放大器称D类放大器。以前的模拟放大器的效率停留在50%左右，剩下的50%主要作为热量被消耗。D类放大器的效率相当高，达到80~90%.不仅不浪费电源，有效地利用电源，还能得到较大的功率输出。 　　随着半导体器件和电路技术的最新发展，如今D类音频放大器在电视/家庭娱乐，音响设备和高性能便携式音频应用中得到广泛的应用。高效率，低失真，以及优异的音频性能都是D类放大器在这些新兴的大功率应用中得到广泛应用的关键驱动因素。然而，如果输出功率桥接电路中的MOSFE

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：260096
    • 提供者：weixin_38620267

  1. 电源技术中的浅谈IPM在电力机车大功率开关电源中的应用

  2. 随着电子技术的发展，功率半导体技术已经成为现代电力电子技术的核心。以绝缘栅双极型晶体管（IGBT）为代表的功率器件，在众多工业控制领域得到越来越广泛的应用。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：198656
    • 提供者：weixin_38669793

  1. 电源技术中的一种380V交流输入的多路输出开关电源

  2. 1  引言 　　随着电力电子器件和高频逆变技术的高速发展， 各种采用大功率逆变技术的电源变换装置被大量应用于各种行业， 如变频器、电镀、电弧炉、UPS、电气化机车、通信电源、电焊机等， 而IGBT 由于其集双极型功率晶体管和功率MOSFET 的优点于一体的相对优异的综合电性能指标， 在上述电源变换装置中被广泛使用。 　　为了最大限度发挥IGBT 的优越性， 各生产厂家相继研制出各种驱动和保护电路并推向市场， 如三菱公司的M57959 /57962、富士电机的EXB840/841、东芝公司的T

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：274432
    • 提供者：weixin_38502916

  1. 模拟技术中的IGBT在大功率斩波中问题的应用

  2. 斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调速的技术性能，而且直接影响设备的运行安全和可靠性，因此。如何选择斩波电路和斩波器件十分重要。 　　IGBT是近代新发展起来的全控型功率半导体器件，它是由MOSFET（场效应晶体管）与GTR（大功率达林顿晶体管）结合，并由前者担任驱动，因此具有：驱动功率小，通态压降低，开关速度快等优点，目前已广泛应用于变频调速、开关电源等电力电子领域。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：287744
    • 提供者：weixin_38616033

  1. 电源技术中的Linear推出宽输入范围同步降压型开关稳压器控制器LTC3851

  2. 凌力尔特(Linear Technology Corporation)推出宽输入范围同步降压型开关稳压器控制器 LTC3851，该器件驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级并具有一致或比例跟踪功能。4V 至 38V 的输入范围促成种类繁多的应用，包括大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上 MOSFET 栅极驱动器允许使用大功率外部 MOSFET，以在 0.8V 至 5.5V 的输出电压范围内产生高达 20A 的输出电流，从而使 LTC3851 非常适合于负载点需求。应用包括汽车、工业、医

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38528180

  1. 电源技术中的Linear推出LTC3851同步降压型DC/DC控制器

  2. 凌力尔特(Linear)推出宽输入范围同步降压型开关稳压器控制器LTC3851，该器件驱动所有N沟道功率MOSFET级并具有一致或比例跟踪功能。4V 至38V的输入范围促成种类繁多的应用，包括大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上MOSFET栅极驱动器允许使用大功率外部MOSFET，以在0.8V至5.5V的输出电压范围内产生高达20A的输出电流，从而使LTC3851适合于负载点需求。应用包括汽车、工业、医疗、数据通信和电信系统，多功能打印机以及机顶盒。 　　恒定频率电流模式架构提供从 25

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38647925

  1. 电源技术中的高频开关对驱动电路的要求

  2. 功率MOSFET管和IGBT管对其驱动电路有如下要求： 　　（1）栅一源驱动脉冲电压的幅值UGS要足够大，为了降低通态电阻或压降，大功率高压MOSFET管和IGBT管功率开关器件的驱动电压要有12～15 V。低压MOSFET也有用逻辑电平4.5 V的。  　　（2）要防止栅一源之间的击穿，栅一源之间的击穿电压约为50V，但分散性较大，容易击穿损坏。驱动电路的输出电压UGS，一般应小于20V，为此可以用反向耐压约为20V的肖特基二极管钳位来限制过电压。 　　（3）驱动电压“开路脉冲”的边沿要

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：73728
    • 提供者：weixin_38688956

  1. 电源技术中的UCC38500控制芯片[5]

  2. 当前国内多用UC3854系列、UC3855系列等进行有源功率因数校正的控制芯片，先做预稳压，升压到380 V左右再做DC／DC转换。也就是人们常说的前级、后级。　　由于电路复杂，前、后级很容易相互干扰。将PFC和DC／DC转换器控制芯片合二为一，一直是大家的梦想，UCC38500正是这样一种功能强大的控制芯片。　　其特点是：外围元件少，控制简单、输入功率因数可达0.99。DC／DC功率转换器部分用双正激电路，它不像半桥、全桥转换器等双端电路，变压器不易饱和，并且驱动简单，主开关管可以用MOSFE

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：34816
    • 提供者：weixin_38566318

  1. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

  2. 功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。　　功率MOSFET和双极型晶体管不同，它的栅极电容比较大，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压（VGS-TH）时MOSFET才开始导通。因此，栅极驱动器的负载能力必须足够大，以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容（CEI）的充电。　　在计算栅极驱动电流时，最常犯的一个错误就是将MOSF

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：79872
    • 提供者：weixin_38690376

  1. 电源技术中的大功率变频可调电源的设计与实现

  2. 摘　要　介绍了用正弦脉宽调制（SPWM）技术实现调频调幅输出的串联谐振式电源的工作原理。该电源采用了IGBT模块构成的半桥逆变电路，它具有IGBT驱动、过压、过流、过热保护及故障锁定功能。 关键词　正弦脉宽调制，IGBT模块，故障锁定，电源 1　引言 　　正弦脉宽调制和变频调速技术在工业控制领域的应用日见广泛。许多电力测试仪器都要求大功率、高性能以满足电力设备的测试要求。目前，市场上的大功率开关电源，其核心功率器件大都采用MOSFET半导体场效应晶体管和双极型功率晶体管，它们都不能满足小型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38638312

  1. IGBT在大功率斩波中问题的应用

  2. 斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调速的技术性能，而且直接影响设备的运行安全和可靠性，因此。如何选择斩波电路和斩波器件十分重要。 　　IGBT是近代新发展起来的全控型功率半导体器件，它是由MOSFET（场效应晶体管）与GTR（大功率达林顿晶体管）结合，并由前者担任驱动，因此具有：驱动功率小，通态压降低，开关速度快等优点，目前已广泛应用于变频调速、开关电源等电力电子领域。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：373760
    • 提供者：weixin_38505158

  1. 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术.pdf

  2. MOS管 大功率设计 不错资料，共享

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2021-01-15
    • 文件大小：96256
    • 提供者：weixin_42801773

  1. 基于大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

  2. 1.MOSFET栅极驱动电平的上升时间和下降时间功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies，SMPS)的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。     功率MOSFET和双极型晶体管不同，它的栅极电容比较大，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。因此，栅极驱动器的负载能力必须足够大，以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容(CEI)的充电。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-13
    • 文件大小：182272
    • 提供者：weixin_38532849
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