极紫外光刻技术（EUVL）是半导体制造实现22 nm及以下节点的下一代光刻技术，高分辨投影物镜的设计是实现高分辨光刻的关键技术。为设计满足22 nm产业化光刻机需求的极紫外光刻投影物镜，采用6枚高次非球面反射镜，像方数值孔径达到0.3，像方视场宽度达到1.5 mm。整个曝光视场内的平均波像差均方根值（RMS）为0.0228λ，不采用任何分辨率增强技术的情况下，75 nm光学成像的焦深内，25 nm分辨力的光学调制传递函数（MTF）大于45%。在部分相干因子为0.5～0.8的照明条件下，畸变小于1

极紫外光刻技术（EUVL）是半导体制造实现22 nm及其以下节点的下一代光刻技术。在曝光过程中，EUVL物镜的每一面反射镜吸收35%～40%的入射极紫外（EUV）能量，使反射镜发生热和结构变形，影响投影物镜系统的成像性能。基于数值孔径为0.3，满足22 nm技术节点的产业化EUV投影物镜，采用有限元分析(FEA)的方法研究反射镜变形分布，再将变形导入光学设计软件CODE V中，研究反射镜变形其对成像特性的影响。研究结果表明：当达到硅片的EUV能量为321 mW，产量为每小时100片时，反射镜最高