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搜索资源 - 存储/缓存技术中的三星48层3DV-NAND闪存技术揭秘
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存储/缓存技术中的三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘
三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存,分别有24层、32层,并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品,2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了,TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。 三星(Samsung)早在2015年8月就发布其256Gb的3位元多级单元(MLC) 3D V-NAND快闪存
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-16
文件大小:601088
提供者:
weixin_38659248