安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压Trench MOSFET，以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20V MOSFET，适用于-430mA至-950mA应用，如功率负载开关、电源转换器电路和手机、数码相机、PDA、寻呼机、媒体播放器，以及便携式GPS系统中的电池管理等。 　　这些新型的低压MOSFET采用安森美公司的Trench技术，增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(RDS(on))，其RDS(on)范围介于150至

安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压Trench MOSFET，以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20V MOSFET，适用于-430mA至-950mA应用，如功率负载开关、电源转换器电路和手机、数码相机、PDA、寻呼机、媒体播放器，以及便携式GPS系统中的电池管理等。 　　这些新型的低压MOSFET采用安森美公司的Trench技术，增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(RDS(on))，其RDS(on)范围介于

安森美半导体（ON Semiconductor）推出八款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻（RDS(on)），整体电源电路效率比其它同类封装的解决方案提高30%。 新器件为小信号、20伏（V）MOSFET，特别适用于-430毫安（mA）至-950 mA的应用，如功率负载开关、电源转换器电路以及手机、数码相机、PDA、寻呼机、媒体播放器和便携式GPS系统中的电池管理等。这些新型的低压MOSFET采用安森美半导