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  1. 路灯控制器-路灯控制器设计任务书

  2. [目录] 1 总体设计方案 2 设计原理分析 [原文] 引言 声光控路灯控制器可以自动实现白天光线较暗和晚上遇到声响时，路灯自动点亮，从而实现人来灯亮，人走灯灭，既方便又实用。不仅节约了电能，而且能延长灯泡使用寿命。可广泛应用于楼梯，走廊，卫生间及生活小区等公共场所的照明控制。此控制器经济实用，即使一般的脚步声也能出灯泡发光照明好。 1 总体设计方案 1.1 设计思路 整个电路由电源电路，声控电路，光控电路及延时电路等部分组成。电源由太阳能电池供电，光敏控电路对外界光亮程度进行检测，输出与光亮

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-05-19
    • 文件大小：57344
    • 提供者：jayzf0503

  1. 简易通用型红外遥控接收电路

  2. 现在家庭中ＴＶ、ＶＣＤ、ＶＣＲ等红外遥控发射器拥有量较普遍，本电路针对它们的性能而构思，使遥控发射器发挥另一用途：发射红外信号，控制照明灯具，其控制距离＞８米。 电路原理： 本电路见图１，主要由红外接收头和ＩＣ４０６９组成的红外控制开关电路。红外接收头静态时输出高电平。当收到遥控发射器送来的红外脉冲信号时，接收头的第脚输出低电平（脉冲信号）。经ＩＣａ整形、放大、倒相而得到负脉冲信号，再由Ｄ５、Ｃ４、Ｒ３检波，延时送至ＩＣｂ（达到反相器的阈值电压），致使ＩＣｂ输出低电平，然后Ｃ４端电压经Ｒ３放电

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-02-19
    • 文件大小：19456
    • 提供者：jeck110

  1. 单片机应用技术选编（7）

  2. 内容简介 　　 《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇，其中全文编入的有113篇，摘要编入的397篇。全书共分八章，即单片机综合 应用技术；智能仪表与测试技术；网络、通信与数据传输；可靠性与抗干扰技术；控制系统 与功率接口技术；电源技术；实用设计；文章摘要。 　　 本书具有重要实用价值，书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动，提高单片机应用技术水平，是从事单片机应用 开发技

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-05-19
    • 文件大小：13631488
    • 提供者：zgraeae

  1. 巧用镜像电流源测mos管导通阈值

  2. mos管导通阈值的测量对于开关电源设计来说是非常重要的，mos管导通阈值决定了mos管导通损耗，知道了mos管导通阈值，设计合理的驱动电压是一个工程师的必备功课。该方案可以作为工程师选MOS的好选择。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-02-10
    • 文件大小：44032
    • 提供者：zjj77520

  1. 模电基本题型复习

  2. 第七章 信号的运算和处理 一、分别求解图示各电路的运算关系。 二、试分别求解图示各电路的运算关系。 三、写出图示电路的运算关系。 四、在图示电路中，A1、A2为理想运算放大器，求Uo的表达式。 第八章 波形的发生和信号的转换 一、改错：改正图示各电路中的错误，使电路可能产生正弦波振荡。要求不能改变放大电路的基本接法（共射、共基、共集）。 二、试将图T8.3所示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路。 三、 判断图P8.5所示各电路是否可能产生正弦波振荡，简述理由。设图（b）中C4容量远大于其

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2014-12-26
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：yangjiawei0329

  1. 芯片测试的几个术语及解释.docx

  2. CP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把坏的chip挑出来；检验封装的良率。 现在对于一般的wafer工艺，很多公司多把CP给省了；减少成本。 CP对整片Wafer的每个Die来测试 而FT则对封装好的Chip来测试。 CP Pass 才会去封装。然后FT，确保封装后也Pass。 WAT是Wafer Acceptance Test，对专门的测试图形（test key）的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定； CP是wafer le

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：18432
    • 提供者：weixin_38744207

  1. AT4931 三相无刷直流电机预驱动芯片.pdf

  2. AT4931是一款三相无刷直流电机预驱动芯片，能够在较宽的电压范围内驱动N沟道功率MOSFET，且电机电源最高可支持到30V。换相逻辑由三个相位差为120°的霍尔元件确定。 AT4931其它特性包括:具有固定关断时间的脉宽调制(PWM)电流控制:延迟时间可调的堵转保护；热关断保护；过压监控和同步整流。内置的同步整流电路在电流衰减时开启对应的MOSFET，低导通阻抗的MOSFET将体二极管短接，从而降低功耗。在电机线圈续流过程中，当电源电压上升到高于过压保护阈值时，同步整流功能被禁用。 AT49

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-05-20
    • 文件大小：403456
    • 提供者：weixin_47298284

  1. stm32f407使用MQ4，温湿度，光照，继电器模块

  2. 本资源为stm32f407使用MQ4，温湿度，光照，继电器模块，用于家庭安全检测系统，但可燃气体的数值超过设定的阈值后继电器导通，所接的电器便会导通。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-12-31
    • 文件大小：750592
    • 提供者：qq_38531460

  1. stm32f407使用舵机，土壤，温湿度，光照，继电器模块

  2. 本资源为stm32f407使用舵机，土壤，温湿度，光照，继电器模块，可以用于检测蔬菜大棚的系统实验，当超过阈值时继电器导通，所接的电器就可以通电，完成系统实验

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-12-31
    • 文件大小：785408
    • 提供者：qq_38531460

  1. 2006测试测量和自动化解决方案文集.pdf

  2. 2006测试测量和自动化解决方案文集pdf,该资料是基于计算机的测试测量和自动化应用方案2006年优秀论文的合订本，包含全部获奖论文。LabV正W特别奖 基丁虚拟仪器的发动机试验台架系统.… 行业:汽车 院校特别奖 基于LabⅤIEW的智能车仿真平台 64 行业:高校/教育 N系统联盟商特别奖 采用N模块化仪器构建业界领先的RFID测试系统. .67 行业:电信 一等奖 汽车 基于N产品的高压共轨柴油机电控单元测试系统的开发 作者:杭勇杨明陆娟 职务:高级工程师 公司:一汽无锡油泵油嘴研究所

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-09
    • 文件大小：77594624
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）.pdf

  2. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）pdf,UCC3809设计反激变换器（50W）在反激变换器中,变压器实际上是一个多绕组的耦和电感,变压器磁芯提 供耦合及隔离,而电感量给出储能大小,储存在空气隙中的电感的能量如下式 E Lp·(PEAK 2 (2) 此处,E为焦耳,Lp为初级电感,单位为享利。 Ipeak为初级电流,单位安 培。当开关导通时,D1反向偏置,没有电流流过二次绕组,初级绕组中流过斜 率如下式的电流 IN(min)v Rds(on) △t P (3) 此处,V1N(min)与

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38743481

  1. SM7523 恒流原边控制功率开关.pdf

  2. SM7523 恒流原边控制功率开关pdf,SM7523 恒流原边控制功率开关SM7523恒流原边控制功率开关 QOBSIW17 极限参数 极限参数(TA=25℃) 符号 说明 范围 单位 VDD 芯片工作电压 -0.3~6 FB输入电压 cs输入电压 -03~7.0 A 工作温度 g 存储温度 40~150 人体放电模式 Rea 热阻 ℃ VDs耐压 -0.3~730 电气工作参数 (除非特殊说明,下列条件均为TA=25℃,VD=6V) 范围 符号 说明 单位 最小 典型 最大 ICC 静态电流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743481

  1. Discrete Isolated IGBT Gate Driv.pdf

  2. 针对SiC MOSFET的基本特性，对其驱动和保护电路的设计提出以下要求：（1）驱动能力满足要求，要能够提供足够的驱动功率和驱动电流。（2）合理设置门极驱动电阻和Cgs电容，适当增大开关时间，减小di/dt和du/dt，降低电路寄生参数带来的桥臂串扰问题。（3）由于SiC MOSFET的导通阈值电压很低，为保证器件可靠关断，必须采取负压关断来抑制桥臂串扰。（4）PCB布局合理，减小驱动回路面积，避免门极电压振荡。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-07-23
    • 文件大小：720896
    • 提供者：liuzz315

  1. 微波炉电容器能不能替换 怎么替换

  2. 微波炉电容器替换测试 微波炉电路图 由以上电路图可以知道，这里我们所说的高压二极管的导通阈值电压较高，若用内电池电压为1.5V的普通万用表测其正向电阻，测出阻值可能很大，表针大多不动，这就无法判断其好坏，所以要用内电池大于6V，最好9～15V的万用表的R×10k挡测量，测量的正向电阻正常为20—300kΩ左右；反向电阻则为无穷大。 如用兆欧表测量，正向电阻正常小于2kΩ；反向电阻为无穷大。如没有上述仪表，也可用普通万用表的R×1k挡测量，但需在一支表笔上串接6～9V电池后再行测量，串接电池

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-06
    • 文件大小：135168
    • 提供者：weixin_38567956

  1. 三相正弦波逆变器瞬态的共同导通问题解决方案

  2. 导读：在三相正弦波逆变器瞬中瞬态共同导通往往是被忽略的问题，因为瞬态过程很难捕捉，本文介绍的解决方案的缺点是电路相对复杂，电路成本略高于其他解决方案，但是这种解决方案是最有效的。     以半桥变换器为例，其典型驱动电路如下图a)所示，理想的栅极电压波形如下图(b)所示。                但是，在实际测试中的栅极电压波形则如下图所示。           图中，圆圈处的电压尖峰就是其中一个MOSFET开通时，引起处于关闭状态的另一个MOSFET的栅极电压尖峰。如果

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：207872
    • 提供者：weixin_38534352

  1. 基础电子中的Diodes推出40V额定值的动态OR＇ing控制器ZXGD3108N8

  2. Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8,以提升电信系统、数据中心及服务器不间断电源的可靠性。新产品旨在全面改善超低导通电阻功率MOSFET，从而替代耗能的肖特基（Schottky）阻断二极管，有效降低工作温度并加强不间断电源系统的完整性。     新控制器通过以这种方式驱动MOSFET，同时提升标准12V和24V共轨系统的整体系统效率。与其它同类型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的关断电压阈值。器件的电压

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38552536

  1. 工业电子中的用深度反转层反馈晶体管测量场效应管阈值电压

  2. 传统上，采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区。由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄，而凹形衬底又是高度掺杂的，因此场阈值(25伏或更高)变得比栅极氧化区的击穿电压(15伏或更低)还要高。为了可在薄的栅极氧化层不被击穿的情况下测量场效应管阈值电压，这儿提出了一种新的结构。其中多晶佳栅极限制在薄氧化区，但通过一个金属栅极产生的场感应沟道连接源区和漏区(图2)。这一器件是一个金属栅和多晶硅栅极复合晶体管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38537689

  1. 三相正弦波逆变器瞬态的共同导通问题解决方案

  2. 导读：在三相正弦波逆变器瞬中瞬态共同导通往往是被忽略的问题，因为瞬态过程很难捕捉，本文介绍的解决方案的缺点是电路相对复杂，电路成本略高于其他解决方案，但是这种解决方案是有效的。     以半桥变换器为例，其典型驱动电路如下图a)所示，理想的栅极电压波形如下图(b)所示。                但是，在实际测试中的栅极电压波形则如下图所示。           图中，圆圈处的电压尖峰就是其中一个MOSFET开通时，引起处于关闭状态的另一个MOSFET的栅极电压尖峰。如果这

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：197632
    • 提供者：weixin_38653664

  1. Diodes推出40V额定值的动态OR＇ing控制器ZXGD3108N8

  2. Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8,以提升电信系统、数据中心及服务器不间断电源的可靠性。新产品旨在全面改善超低导通电阻功率MOSFET，从而替代耗能的肖特基（Schottky）阻断二极管，有效降低工作温度并加强不间断电源系统的完整性。     新控制器通过以这种方式驱动MOSFET，同时提升标准12V和24V共轨系统的整体系统效率。与其它同类型器件相比，ZXGD3108N8提供的关断电压阈值。器件的电压少于

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：111616
    • 提供者：weixin_38606466

  1. 具有可调阈值电压的自对准弹道n型单壁碳纳米管场效应晶体管

  2. 已经制造了具有新颖的自对准栅极结构和直径为1.5 nm的SWCNT上沟道长度约为120 nm的近弹道n型单壁碳纳米管场效应晶体管（SWCNT FET）。 该器件具有出色的导通和截止状态性能，包括高达25μS的高跨导，100 mV / dec的小亚阈值摆幅和0.86 ps的栅极延迟时间，这表明该器件可以在THz频率下工作。 定量分析在同一SWCNT上制造的长通道器件的电学特性表明，SWCNT的平均自由程为191 nm，并且该器件的电子迁移率达到4650 cm（2）/ Vs。 当用度量CV / I与

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-31
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38641764
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