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将LUX照射到违反同位旋的暗物质上,超出领先水平
提出了违反同位旋的暗物质(IVDM)作为调和直接检测暗物质实验产生的正负结果冲突的可行方案。 我们表明,最低阶暗物质-核散射速率可以在手征展开中的下一至领先阶(NLO)处接收大的和依赖于核的校正。 这些校正的大小取决于暗物质与夸克口味和胶子的特定耦合。 通常,仅零能量质子和中子耦合不能充分描述整个NLO暗物质核截面。 在暗物质通过标量算子耦合到夸克的情况下,具体说明了这些陈述。 我们发现规范的IVDM方案可以调和无效的XENON和LUX结果,并且最近的CDMS-Si发现提供了其与第二代和第三代夸
所属分类:
其它
发布日期:2020-03-26
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38676851