电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出采用先进硅技术的PNP与NPN器件，丰富了其低Vce(sat)双极结晶体管(BJT)产品系列。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低Vce(sat) BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。       安森美半导体最新推出的NSSxxx低Vc

安森美半导体（ON Semiconductor）推出全新系列的高性能VCE(sat) 双极结晶体管（BJT），该产品降低电路总成本，并为各种便携式应用如手机、PDA、媒体播放器、笔记本电脑和数码相机, 提供更高的电源效率和更长的电池寿命。 此类创新的低VCE(sat) BJT为微型的表面贴装器件，具有超低饱和电压（VCE(sat)）和高电流增益能力的特性，专为负担得起且能效控制要求高的低压高速开关应用而设计。理想的应用包括电源管理、电池充电、低压降稳压、振荡器电机、LED背光、电池管理、磁盘驱动