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搜索资源 - 嵌入式系统/ARM技术中的英飞凌推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005
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嵌入式系统/ARM技术中的英飞凌推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005
2015年12月11日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大其200 V驱动IC产品阵容,推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驱动IC能为具有严格空间限制的电机变频器应用提供全面保护,比如电动园艺设备、高尔夫球车、电动工具及代步车等。IRS200x家族产品包括高边和低边驱动以及半桥式驱动,采用英飞凌成熟而强大的高压结隔离(HVJI)工艺,以实现小型封装,同时保持对负瞬变电压的耐受性。这种200 V
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-16
文件大小:92160
提供者:
weixin_38550334