1．AMD Saxony制造股份有限公司，德累斯顿市D-01109，德国；2．AMD工艺研发集团,美国加利福尼亚州森尼韦尔市；3．KLA-Tencor，Migdal HaEmek 23100，以色列)概 述：由于空间成像套刻(Ovcrlay)技术的预算随集成电路(IC)设计规范的紧缩而吃紧，因此，Overlay测量技术准确度的重要意义也随之提高。通过对后开发(After Develop DI)阶段和后蚀刻(After Etch FI)阶段的Overlay测量结果进行比较，研究了0．18μm设计规