一、引言      四元系发光二极管一般使用GaAs衬底，由于GaAs衬底的禁带宽度比AlGaInP窄，有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉，使得发光效率大幅度降低。目前发光二极管的发展方向主要是高亮度及全彩色 ,GaAlAs、GaAlInP与GaInN是较成熟的半导体发光材料 ,其中GaAlAs是红光二极管的优选材料 ,GaAlInP材料根据Al组分的变化能得到红光（680nm）到绿光 （560nm）的光波 ,以反射射向衬底的光，减少GaAs的吸收，最早的GaAlInP高亮度发光二极管90