对具有常规电子阻挡层（EBL），常见的n-AlGaN空穴阻挡层（HBL）和具有逐渐Al组成的n-AlGaN HBL的蓝色InGaN发光二极管（LED）进行了数值研究，其中涉及分析有源区中的载流子浓度，能带图，静电场和内部量子效率（IQE）。 结果表明，与具有传统的p-AlGaN EBL或普通的n-AlGaN HBL的LED相比，具有渐变Al组成的n-AlGaN HBL的LED在有源区表现出更好的空穴注入效率，更低的电子泄漏和更小的静电场。 。 同时，当使用具有渐变的Al组成的n-AlGaN HB