粘附在GaAs晶片上的二硫化钼（MoS2）纳米片被用作Q开关Nd：YVO4激光器中的MoS2 / GaAs饱和吸收剂（SA）。 MoS2 / GaAs SA是通过将几层MoS2转移到350 mm深度的GaAs晶片上的液体剥落法成功制造的。 在1.77 W的吸收泵浦功率下，可以获得321.6 mW的平均输出功率，51.3ns的脉冲持续时间和769.7 kHz的重复频率的脉冲，这揭示了MoS2 / GaAs异质结构在短脉冲持续时间产生中的潜力。 。 在相同的吸收泵浦功率下，脉冲能量和峰值功率分别为4