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一种高精度自偏置带隙基准源设计
带隙基准源是集成电路的基本组成部分。在此对传统 CMOS带隙基准源电路的分析和总结上 ,基于无锡上华的 015μm混合 CMOS工艺 ,应用电流镜共源共栅结构的屏蔽作用 ,并结合一级温度补偿、 电流反馈技术和运放电路 ,设计一款 高电源抑制比、 低温度系数及自偏置电压带隙基准源电路。
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-12-08
文件大小:327680
提供者:
zz269057460
带隙基准课件
带隙基准课件,模拟集成电路的圣经,西工大亲情奉献。
所属分类:
嵌入式
发布日期:2012-09-28
文件大小:262144
提供者:
carljelly
一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源.pdf
Cadence 集成电路 CMOS 带隙基准源
所属分类:
硬件开发
发布日期:2012-12-05
文件大小:307200
提供者:
lh2008xp
带隙基准(ISSCC上94年的论文)
ISSCC上基准电路,低压低功耗,上老拉那本书上11章带隙基准的拓展
所属分类:
专业指导
发布日期:2013-03-11
文件大小:262144
提供者:
sharpppp
本科毕业论文-带隙基准.pdf
本文阐述了 Banba 和 Leung 两种基本带隙基准电压源电路的工作原理,分析了 Leung结构对于 Banba 结构改进的方法,分别对两个电路的参数进行了设计,并仿真其性能,由此来比较了它们各自的特点。 得到的结论是 Banba 结构的输出电压温度系数更小, 而 Leung结构的最低电源电压可以降到 1V 左右,有益于向低电压设计的发展。仿真采用 SMIC0.18um 标准 CMOS Spice 工艺模型在 Hspice 中进行,两者的输出电压都在 0.5V 左右,温度系数在 10e-5
所属分类:
硬件开发
发布日期:2020-05-02
文件大小:562176
提供者:
gsjthxy
带隙基准电压源设计
毕业设计 带隙基准电压源设计 bandgap
所属分类:
专业指导
发布日期:2013-05-26
文件大小:1048576
提供者:
u010842530
带隙基准源
非常具有参考使用价值和意义的带隙基准源参考资料
所属分类:
硬件开发
发布日期:2012-02-08
文件大小:982016
提供者:
zc20060102
带隙基准 改进的电流源
改进的电流源 与电源无关的偏置 带隙基准 正温度系数 负温度系数 PTAT电流源的产生
所属分类:
其它
发布日期:2010-08-14
文件大小:711680
提供者:
lvjuanning
带隙基准电压源(Bandgap)设计范例
带隙基准电压源(Bandgap)设计范例
所属分类:
硬件开发
发布日期:2011-09-15
文件大小:78848
提供者:
zhupi1986
带隙基准是什么_带隙基准电路的优点
经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和,二者温度系数相互抵消,实现与温度无关的电压基准,约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多,因而称为带隙基准。实际上利用的不是带隙电压。现在有些带隙基准结构输出电压与带隙电压也不一致。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:92160
提供者:
weixin_38639089
0.5μm CMOS带隙基准电路设计
现以带隙基准电压源的产生原理为基础,提出了一种具有良好自启动和低功耗特性的CMOS带隙基准电压源。该带隙基准电压源用于BLVDS总线收发器电路,主要为BLVDS总线驱动器、接收器提供所需的1.25 V偏置电压。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-28
文件大小:54272
提供者:
weixin_38629303
一个高性能带隙基准电压源的设计
设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性;采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明,电路温度系数为3.3 ppm/℃,在电源电压2.7~3.6 V范围内输出仅变化18μV左右。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-28
文件大小:82944
提供者:
weixin_38571992
一种采用二次曲率补偿的带隙基准源
基于二次曲率补偿的基本原理,提出一种高精度的采用二次曲率补偿的新型带隙基准源电路,产生二次温度补偿量对传统的带隙基准源进行校正,获得更小的温度系数。该电路采用0.6μm的CMOS工艺实现。经过Spectre仿真,结果表明在-50~+125℃的温度范围内,基准电压源的平均温度系数为4.47 ppm/℃。该基准源可以被应用于各种高精度的模拟和混合集成电路。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-28
文件大小:63488
提供者:
weixin_38707862
一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源
采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-27
文件大小:83968
提供者:
weixin_38500709
一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计
提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25~+120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-27
文件大小:89088
提供者:
weixin_38618746
一种二阶温度补偿的CMOS带隙基准电路
提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的,具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题,引入了一个电阻,使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比,降低了温度系数。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-25
文件大小:75776
提供者:
weixin_38708361
高电源抑制的带隙基准源设计方案
本文通过结合LDO与Brokaw基准核心,设计出了高PSR的带隙基准,此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB,最高PSR为-36 dB,温漂可以达到7.5 ppm,适用于电子镇流器芯片。本设计还优化了启动部分,使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-02
文件大小:72704
提供者:
weixin_38688745
高精度CMOS带隙基准源的设计
本文所采用的基准源电路利用传统带隙基准源的核心电路原理,通过饱和状态MOS等效电阻对PTAT电流动态反馈补偿,基本实现了基准源的稳定要求。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-11
文件大小:311296
提供者:
weixin_38680957
一种低电压带隙基准电压源的设计
本文给出了一个低电压供电时的带隙基准电压源电路的设计方法。该电路通过对传统带隙基准电路的改进,使输出基准电压在600 mV仍然能满足零温度系数。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-09
文件大小:282624
提供者:
weixin_38623366
一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究
本文为读者提供了关于低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究方案,供正在学习的读者参考学习。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-09
文件大小:101376
提供者:
weixin_38528086
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