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搜索资源列表

  1. 一种高精度自偏置带隙基准源设计

  2. 带隙基准源是集成电路的基本组成部分。在此对传统 CMOS带隙基准源电路的分析和总结上 ,基于无锡上华的 015μm混合 CMOS工艺 ,应用电流镜共源共栅结构的屏蔽作用 ,并结合一级温度补偿、 电流反馈技术和运放电路 ,设计一款 高电源抑制比、 低温度系数及自偏置电压带隙基准源电路。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-12-08
    • 文件大小：327680
    • 提供者：zz269057460

  1. 一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源.pdf

  2. Cadence 集成电路 CMOS 带隙基准源

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-12-05
    • 文件大小：307200
    • 提供者：lh2008xp

  1. 带隙基准源

  2. 非常具有参考使用价值和意义的带隙基准源参考资料

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-02-08
    • 文件大小：982016
    • 提供者：zc20060102

  1. 一种采用二次曲率补偿的带隙基准源

  2. 基于二次曲率补偿的基本原理,提出一种高精度的采用二次曲率补偿的新型带隙基准源电路,产生二次温度补偿量对传统的带隙基准源进行校正,获得更小的温度系数。该电路采用0.6μm的CMOS工艺实现。经过Spectre仿真,结果表明在-50~+125℃的温度范围内,基准电压源的平均温度系数为4.47 ppm/℃。该基准源可以被应用于各种高精度的模拟和混合集成电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38707862

  1. 一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

  2. 采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比（PSRR）、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38500709

  1. 一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25~＋120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38618746

  1. 高电源抑制的带隙基准源设计方案

  2. 本文通过结合LDO与Brokaw基准核心，设计出了高PSR的带隙基准，此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB，最高PSR为-36 dB，温漂可以达到7.5 ppm，适用于电子镇流器芯片。本设计还优化了启动部分，使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-02
    • 文件大小：72704
    • 提供者：weixin_38688745

  1. 高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 本文所采用的基准源电路利用传统带隙基准源的核心电路原理，通过饱和状态MOS等效电阻对PTAT电流动态反馈补偿，基本实现了基准源的稳定要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-11
    • 文件大小：311296
    • 提供者：weixin_38680957

  1. 电源技术中的高电源抑制的带隙基准源设计方案

  2. 本文通过结合LDO与Brokaw基准核心，设计出了高PSR的带隙基准，此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB，最高PSR为-36 dB，温漂可以达到7.5 ppm，适用于电子镇流器芯片。本设计还优化了启动部分，使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。　　1 电路结构　　1.1 基准核心　　目前的基准核心可以有多种实现方案：混合电阻，Buck voltage transfer cell，但是修调复杂，不宜工业化。本设计采用Brokaw基准核心，其较易实现高压基准输出，并且其温

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：229376
    • 提供者：weixin_38576045

  1. 一种用于高精度DAC的实用型CMOS带隙基准源

  2. 为了满足一种高速、高精度DAC的设计要求。通过带隙基准电压源的基本设计原理，设计了一种实用型的基准电压源，获得了一个快速启动、高稳定性的电压基准电路。基于40 nm的CMOS标准工艺并用cadence软件进行了后仿真，仿真结果表明在室温下，电源电压为2.5 V时输出基准电压为1.184 V；启动时间为0.5 μs；消耗功耗为0.185 5 mW；在-15 ℃～75 ℃的温度范围内温度漂移系数为8.7×10-5/℃；在低频时电源电压抑制比为-85 dB；绘制版图的面积大小仅为154.799 μm×

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：402432
    • 提供者：weixin_38502239

  1. 带隙基准源单粒子敏感性分析

  2. 基于一款0.18 μm工艺下常规设计带隙基准源，使用单粒子瞬态脉冲电流模型分析了常见CMOS两级放大器的单粒子敏感性。对于带隙基准源中使用的垂直型PNP管使用TCAD软件建立了三维模型，并通过仿真验证了其应用在带隙基准源中的单粒子敏感性。最后，针对带隙基准源单粒子敏感特性，提出了整体加固建议。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：395264
    • 提供者：weixin_38517095

  1. 一种带隙基准源分段线性补偿的改进方法

  2. 为了减小带隙基准源的温度系数和提高温度补偿的灵活性，设计了一种改进型分段线性补偿方法。利用双极型晶体管的温度非线性在整个温度区域内产生7段不同斜率的补偿电流，通过电流模形式对基准电压的高阶温度分量进行叠加，进而对带隙基准电压实现精确温度补偿。基于0.25 μm BCD工艺设计了一款低温漂高精度的带隙基准源。HSPICE仿真结果表明，在5 V电源电压下，在-40 ℃～125 ℃温度范围内，基准电压的温度系数为0.37×10-6/℃，低频时电路的电源抑制比为-85 dB。电源电压在2 V～5 V范围

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：596992
    • 提供者：weixin_38589150

  1. 一种新型的电流模式曲率补偿带隙基准源

  2. 提出了一种新型的低压带隙基准源，与传统的带隙基准不同，该电路引入了第三个电流，以消除双极型晶体管射基电压的温度非线性项，从而实现曲率补偿。采用0．18μm CMOS工艺进行设计验证，HSpice仿真结果表明，室温下的输出电压为623 mV，-55～+125℃范围内的温度系数为4．2 ppm／℃，1．0～2．1 V之间的电源调整率为0．9 mV／V。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：258048
    • 提供者：weixin_38688956

  1. 电源技术中的介绍一种运用曲率补偿的带隙基准源电路

  2. 1 引 言 　　带隙是半导体量子物理的名词，带是能量带，隙是两带之间的电势差。晶体管的PN结压降与这有关。带隙基准源是利用三极管的Vbe的特性做出来的低温度系数的电压基准。　 　带隙基准源广泛应用于各类集成电路之中。本文介绍带曲率补偿的带隙基准源的原理，并将其与传统带隙基准源进行比较，突出其在温度特性上的优点，并介绍一种运用曲率补偿的带隙基准源电路。 2 传统带隙基准源原理 　　带隙基准的原理是产生分别带正温度系数和负温度系数的电压，然后通过电路让其相加得到温度系数很小，甚至没有温度系数的电压。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：173056
    • 提供者：weixin_38666300

  1. 高电源抑制比低温漂带隙基准源设计

  2. 设计并实现了一种新的高PSRR、低TC带隙基准源。重点研究了带隙基准源电源抑制能力，尤其是高频PSRR，达到宽频带范围PSRR高性能指标。采用0.35 μm BiCMOS工艺进行仿真，结果表明，PSRR在1 Hz频率下达-108.5 dB，在15 MHz频率下达-58.9 dB；采用二次温漂补偿电路使得带隙基准源常温下输出参考电压1.183 V，在-40 ℃~95 ℃温度范围内，温漂系数低达1.5 ppm/℃。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：394240
    • 提供者：weixin_38701407

  1. 一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 本文通过对传统带隙基准源的基本原理分析，设计的基准电路工作电压为5～10 V，通过饱和状态MOS等效电阻对PTAT电流反馈补偿，得到了82 dB的电源电压抑制比和低于7．427 ppm／℃的温度系数，版图面积0．022 mm2。该电路产生的基准源电压基本满足普通应用要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：300032
    • 提供者：weixin_38551749

  1. 一种采用二次曲率补偿的带隙基准源

  2. 本文介绍带曲率补偿的带隙基准源的原理，并将其与传统带隙基准源进行比较，突出其在温度特性上的优点，并介绍一种运用曲率补偿的带隙基准源电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：217088
    • 提供者：weixin_38650629

  1. 模拟技术中的一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 引言 　　模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与绝对温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。 　　近年来有研究指出，当漏电流保持不变时，工作在弱反型区晶体管的栅源电压随着温度升高而在一定范围内近似线性降低。基于该特性，带隙基准源所采

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：251904
    • 提供者：weixin_38631182

  1. 一种高精度二阶曲率补偿带隙基准源设计

  2. 一种高精度二阶曲率补偿带隙基准源设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：630784
    • 提供者：weixin_38611877

  1. 一种新型高CMOS带隙基准源的设计

  2. 引言 　　模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。 　　近年来有研究指出，当漏电流保持不变时，工作在弱反型区晶体管的栅源电压随着温度升高而在一定范围内近似线性降低。基于该特性，带隙基准源所采用的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：344064
    • 提供者：weixin_38596267
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