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搜索资源列表

  1. 一种高精度自偏置带隙基准源设计

  2. 带隙基准源是集成电路的基本组成部分。在此对传统 CMOS带隙基准源电路的分析和总结上 ,基于无锡上华的 015μm混合 CMOS工艺 ,应用电流镜共源共栅结构的屏蔽作用 ,并结合一级温度补偿、 电流反馈技术和运放电路 ,设计一款 高电源抑制比、 低温度系数及自偏置电压带隙基准源电路。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-12-08
    • 文件大小：327680
    • 提供者：zz269057460

  1. 一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源.pdf

  2. Cadence 集成电路 CMOS 带隙基准源

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-12-05
    • 文件大小：307200
    • 提供者：lh2008xp

  1. MAX6129微功耗、低压差带隙电压基准

  2. MAX6129微功耗、低压差带隙电压基准具有超低电源电流和低漂移特性，采用微型、5引脚SOT23表贴封装，与SO封装器件相比可节省70%的板上空间。这款串联模式电压基准最高可输出4mA或灌入1mA的负载电流。2.5V至12.6V宽电源电压范围、5.25µA (最大)超低电源电流和200mV低压差特性使这些器件非常适合电池供电系统。 0.4%初始精度和40ppm/°C (最大值)温度系数使MAX6129适用于高精度应用。此外，内置补偿电容无需外部补偿电容，并可稳定的工作于最高10µF负载电容下。

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2009-03-24
    • 文件大小：998400
    • 提供者：tainbian

  1. N76E003 adc带隙电压程序

  2. 本程序主要使用N76E003单片机的带隙电压基准源，实现对常规ADC测量中，受供电电压影响进行补偿，本工程由KEIL4进行创建，注释清晰，需要Nu_Link仿真器。

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2018-09-29
    • 文件大小：133120
    • 提供者：u014798590

  1. 本科毕业论文-带隙基准.pdf

  2. 本文阐述了 Banba 和 Leung 两种基本带隙基准电压源电路的工作原理，分析了 Leung结构对于 Banba 结构改进的方法，分别对两个电路的参数进行了设计，并仿真其性能，由此来比较了它们各自的特点。 得到的结论是 Banba 结构的输出电压温度系数更小， 而 Leung结构的最低电源电压可以降到 1V 左右，有益于向低电压设计的发展。仿真采用 SMIC0.18um 标准 CMOS Spice 工艺模型在 Hspice 中进行，两者的输出电压都在 0.5V 左右，温度系数在 10e-5

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-05-02
    • 文件大小：562176
    • 提供者：gsjthxy

  1. 带隙基准电压源设计

  2. 毕业设计 带隙基准电压源设计 bandgap

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-05-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：u010842530

  1. 带隙基准电压源(Bandgap)设计范例

  2. 带隙基准电压源(Bandgap)设计范例

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-09-15
    • 文件大小：78848
    • 提供者：zhupi1986

  1. 带隙基准是什么_带隙基准电路的优点

  2. 　　经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多，因而称为带隙基准。实际上利用的不是带隙电压。现在有些带隙基准结构输出电压与带隙电压也不一致。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：92160
    • 提供者：weixin_38639089

  1. 0．5μm CMOS带隙基准电路设计

  2. 现以带隙基准电压源的产生原理为基础，提出了一种具有良好自启动和低功耗特性的CMOS带隙基准电压源。该带隙基准电压源用于BLVDS总线收发器电路，主要为BLVDS总线驱动器、接收器提供所需的1．25 V偏置电压。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38629303

  1. 一个高性能带隙基准电压源的设计

  2. 设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3 ppm／℃，在电源电压2．7～3．6 V范围内输出仅变化18μV左右。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38571992

  1. 一种采用二次曲率补偿的带隙基准源

  2. 基于二次曲率补偿的基本原理,提出一种高精度的采用二次曲率补偿的新型带隙基准源电路,产生二次温度补偿量对传统的带隙基准源进行校正,获得更小的温度系数。该电路采用0.6μm的CMOS工艺实现。经过Spectre仿真,结果表明在-50~+125℃的温度范围内,基准电压源的平均温度系数为4.47 ppm/℃。该基准源可以被应用于各种高精度的模拟和混合集成电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38707862

  1. 一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

  2. 采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比（PSRR）、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38500709

  1. 一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25~＋120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38618746

  1. 一种二阶温度补偿的CMOS带隙基准电路

  2. 提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的，具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题，引入了一个电阻，使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比，降低了温度系数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-25
    • 文件大小：75776
    • 提供者：weixin_38708361

  1. 低压CM0S带隙基准电压源设计

  2. 本文首先对传统的带隙电压源原理进行分析，然后提出了一种比较廉价且性能较高的低压带隙基准电压源，采用电流反馈、一级温度补偿技术设计了低压CMOS带隙基准源电路，使其电路能工作在较低的电压下。本文介绍这种带隙电压基准源的设计原理，给出了电路的仿真结果，并对结果进行了分析。并基于CSMC 0．5μm Double Poly Mix Process对电路进行了仿真，得到理想的结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：350208
    • 提供者：weixin_38673924

  1. 模拟技术中的一种应用于14位Pipeline ADC的带隙电压基准源

  2. 基准电压源是集成电路中一个重要的单元模块。目前，基准电压源被广泛应用与高精度比较器，A／D，D／A转换器，动态随机存储器等集成电路中。它产生的基准电压精度，温度稳定性和抗噪声干扰能力直接影响到芯片，甚至整个系统的性能。特别是在D／A，A／D数据转换系统中，基准源的性能与量化器的量化精度密切相关。随着D／A，A／D精度的不断提高，精确稳定的基准源的设计成为关键。因此，设计一个高性能的基准电压源是具有十分重要的意义。 　　1 分析电路设计及原理 　　1.1 传统带隙基准的分析 　　传统的带隙电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：229376
    • 提供者：weixin_38565801

  1. 电源技术中的一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计

  2. 在A／D和D／A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中，都需要高精度、高稳定性的基准电压源，并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式，其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点，因而得到了广泛的应用。 本文在基于传统带隙电压基准源原理的基础上，采用电流反馈、一级温度补偿等技术，同时在电路中加入启动电路，设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源，并在S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：199680
    • 提供者：weixin_38714653

  1. 具有新型误差放大器的高阶曲率补偿带隙电压基准

  2. 具有新型误差放大器的高阶曲率补偿带隙电压基准

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38586186

  1.  一种高精度带隙基准电压源电路设计

  2. 针对传统CMOS带隙电压基准源电路电源电压较高，基准电压输出范围有限等问题，通过增加启动电路，并采用共源共栅结构的PTAT电流产生电路，设计了一种高精度、低温漂、与电源无关的具有稳定电压输出特性的带隙电压源。基于0.5 μm高压BiCMOS工艺对电路进行了仿真，结果表明，在-40℃~85℃范围内，该带隙基准电路的温度系数为7ppm/℃，室温下的带隙基准电压为1.215 V。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38748740

  1. 一种应用于14位Pipeline ADC的带隙电压基准源

  2. 基准电压源是集成电路中一个重要的单元模块。目前，基准电压源被广泛应用与高精度比较器，A／D，D／A转换器，动态随机存储器等集成电路中。它产生的基准电压精度，温度稳定性和抗噪声干扰能力直接影响到芯片，甚至整个系统的性能。特别是在D／A，A／D数据转换系统中，基准源的性能与量化器的量化精度密切相关。随着D／A，A／D精度的不断提高，稳定的基准源的设计成为关键。因此，设计一个高性能的基准电压源是具有十分重要的意义。 　　1 分析电路设计及原理 　　1.1 传统带隙基准的分析 　　传统的带隙电压基

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：297984
    • 提供者：weixin_38722607
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