研究了干法刻蚀对InGaN / GaN纳米棒多量子阱（MQWs）内部量子效率的影响。 样品通过自组装镍纳米掩模通过电感耦合等离子体（ICP）蚀刻进行蚀刻，并通过室温光致发光测量进行检查。 蚀刻过程中的关键参数是射频功率和ICP功率。 纳米棒MQW的内部量子效率显示出随着射频功率从3W增加到100 W大幅降低5.6倍。但是，它受到ICP功率的轻微影响，在30W至600的宽ICP功率范围内，ICP功率显示出30％的变化。在优化的刻蚀条件下，纳米棒MQW的内部量子效率可以是生长的MQW样品的40％，纳