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  1. 所有这些干扰的来源

  2. 自从进入市场以来，CMOS 单电源放大器就给全球单电源系统设计人员带来了极大优势。影响双电源放大器总谐波失真 + 噪声 （THD+N） 特性的主要因素是输入噪声与输出级交叉失真。单电源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的输入输出级。但是，输入级对 THD+N 的影响可让单电源放大器的这一规范属性变得复杂。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-15
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38739164

  1. CMOS单电源运算放大器设计分析

  2. 自上市以来，CMOS 单电源放大器就让全球的单电源系统设计人员受益非浅。影响双电源放大器总谐波失真加噪声 (THD+N) 特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真。单电源放大器的 THD+N 性能源于放大器的输入和输出级。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-26
    • 文件大小：132096
    • 提供者：weixin_38506798

  1. 放大器的噪声来源

  2. 自上市以来，CMOS单电源放大器就让全球的单电源系统设计人员受益非浅。影响双电源放大器总谐波失真加噪声 (THD+N) 特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真。单电源放大器的THD+N性能源于放大器的输入和输出级。然而，输入级对THD+N的影响又让单电源放大器的这种规范本身复杂化。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：97280
    • 提供者：weixin_38675969

  1. 影响CMOS单电源放大器的THD+N性能的因素

  2. 自上市以来，CMOS单电源放大器就让全球的单电源系统设计人员受益非浅。影响双电源放大器总谐波失真加噪声（THD+N）特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：122880
    • 提供者：weixin_38522106

  1. 模拟技术中的哪里来的噪声？

  2. 自上市以来，CMOS 单电源放大器就让全球的单电源系统设计人员受益非浅。影响双电源放大器总谐波失真加噪声 (THD+N) 特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真。单电源放大器的 THD+N 性能源于放大器的输入和输出级。然而，输入级对 THD+N 的影响又让单电源放大器的这种规范本身复杂化。 　　有两种单电源放大器拓扑可以接受电源之间的输入信号。图 1a 所示拓扑具有一个互补差动输入级。在该拓扑中，放大器的输入位于负轨附近时，PMOS 晶体管为“开”，而 NMOS 晶体管为“关”。当放大器的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：104448
    • 提供者：weixin_38693528

  1. 模拟技术中的影响CMOS单电源放大器的THD+N性能的因素

  2. 自上市以来，CMOS单电源放大器就让全球的单电源系统设计人员受益非浅。影响双电源放大器总谐波失真加噪声(THD+N)特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真。单电源放大器的THD+N性能源于放大器的输入和输出级。然而，输入级对THD+N的影响又让单电源放大器的这种规范本身复杂化。 　　有两种单电源放大器拓扑可以接受电源之间的输入信号。图1a所示拓扑具有一个互补差动输入级。在该拓扑中，放大器的输入位于负轨附近时，PMOS晶体管为“开”，而NMOS晶体管为“关”。当放大器的输入更接近于正电压轨时，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：103424
    • 提供者：weixin_38637580

  1. 哪里来的噪声？

  2. 自上市以来，CMOS 单电源放大器就让的单电源系统设计人员受益非浅。影响双电源放大器总谐波失真加噪声 (THD+N) 特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真。单电源放大器的 THD+N 性能源于放大器的输入和输出级。然而，输入级对 THD+N 的影响又让单电源放大器的这种规范本身复杂化。 　　有两种单电源放大器拓扑可以接受电源之间的输入信号。图 1a 所示拓扑具有一个互补差动输入级。在该拓扑中，放大器的输入位于负轨附近时，PMOS 晶体管为“开”，而 NMOS 晶体管为“关”。当放大器的输入

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：132096
    • 提供者：weixin_38667697

  1. 影响CMOS单电源放大器的THD+N性能的因素

  2. 自上市以来，CMOS单电源放大器就让的单电源系统设计人员受益非浅。影响双电源放大器总谐波失真加噪声(THD+N)特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真。单电源放大器的THD+N性能源于放大器的输入和输出级。然而，输入级对THD+N的影响又让单电源放大器的这种规范本身复杂化。 　　有两种单电源放大器拓扑可以接受电源之间的输入信号。图1a所示拓扑具有一个互补差动输入级。在该拓扑中，放大器的输入位于负轨附近时，PMOS晶体管为“开”，而NMOS晶体管为“关”。当放大器的输入更接近于正电压轨时，NM

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：133120
    • 提供者：weixin_38734200