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搜索资源列表

  1. 最新忆阻器vteam模型LTSPICE代码

  2. 最新忆阻器vteam模型LTSPICE代码，电压阈值vteam忆阻器模型，可以用text打开

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-09-01
    • 文件大小：640
    • 提供者：remp41770950

  1. 忆阻器器件与工艺.zip

  2. 该论文包括忆阻器工艺的相关数篇论文，主要包括各种忆阻器的模型，忆阻器的工艺要求等相关内容。同时，包括仿真过程中的遇到的窗函数的相关总结，电路模型等内容。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-30
    • 文件大小：57671680
    • 提供者：weixin_42884135

  1. 新型忆阻器模型及其在混沌电路中的应用

  2. 新型忆阻器模型及其在混沌电路中的应用，吴仁平，王春华，忆阻器是继电阻、电感和电容之外的第四大基本电路元器件。2008年，HP实验室研究人员成功的实现了忆阻器，引起了广大学者对忆阻器的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-02
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38526225

  1. 基于改进忆阻器的高通滤波器设计与仿真

  2. 针对传统的忆阻器模型存在不能很好地与HP实验室提出的忆阻器物理模型中忆阻器的阻值变化特点相符的问题,提出了一种改进的带有阈值电压的忆阻器模型,该模型能很好地模拟忆阻器的"激活"现象,其特性与HP实验室的忆阻器物理模型相符;基于该改进模型设计了一种高通滤波器电路,该电路通过改变忆阻器阻值控制电路的输出信号来改变忆阻器的阻值,从而实现了滤波器截止频率的调节。SPICE仿真结果验证了设计的正确性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-25
    • 文件大小：666624
    • 提供者：weixin_38649657

  1. 忆阻器仿真模型Memristor Model

  2. 文件中包含7种不同的忆阻器模型Memristor model, 有Biolek，Generic，Joglekai，Pershin等，可在LTSPICE和Verilog仿真软件上上运行

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-08-06
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：qq_34305127

  1. 一个新的基于忆阻器的超混沌系统及其电路实现

  2. 首先推导了两个基于磁控忆阻器模型的串联忆阻器的特性及磁通电荷关系, 然后通过使用这个忆阻系统获得一个新颖的四维超混沌系统, 它有两个正的李雅普诺夫指数． 通过观察各种混沌吸引子、 功率谱和分岔图可看到丰富的动力学现象． 最后, 建立了模拟该系统的SPICE电路． SPICE仿真结果与数值分析一致, 这进一步显示了该超混沌系统的混沌产生能力

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38517904

  1. TiO2忆阻器振荡器的动力学行为

  2. 我们基于HP TiO2忆阻器和蔡氏电路的实际模型设计了一个新的混沌振荡器。振荡器的一些基本动力学行为，包括平衡集，李雅普诺夫指数谱和在理论上和数值上研究了关于各种电路参数的分叉。混乱的通过仿真和实验描述了所提出的振荡器产生的吸引子协议。分析的主要发现是，所提出的振荡器没有瞬态混沌和弱超混沌现象。出现。此外，其稳定性对其初始值不敏感，从而产生连续的稳定的混沌振荡信号，适合基于混沌的应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38702945

  1. 双扩展忆阻器的SPICE模型

  2. 双扩展忆阻器的SPICE模型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：438272
    • 提供者：weixin_38682254

  1. 多段二次非线性忆阻器及其2N滚动和2N +1滚动混沌吸引子系统

  2. 本文提出了两种新型的具有连续连续记忆功能的理想的理想有源磁通控制光滑多段二次非线性忆阻器。 通过构建忆阻器仿真器电路，可以验证两个忆阻器模型的收缩磁滞回线特性。 使用这两个忆阻器模型建立新的忆阻多滚动蔡氏电路，该电路可以生成2N滚动和2N + 1滚动混沌吸引子，而没有任何其他普通的非线性函数。 此外，在提出的忆阻多滚动蔡氏电路中发现了共存的多滚动混沌吸引子。 相图，李雅普诺夫指数，分叉图和平衡点分析已用于研究忆阻多滚动蔡氏电路的基本动力学。 电路实现与数值仿真的一致性验证了系统设计的有效性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38587473

  1. 新的基于忆阻器的多滚动超混沌系统的实现

  2. 本文提出了一种新型的具有五阶通量多项式的通量控制忆阻器模型。 还提出了一种等效电路，该电路可实现高阶磁通控制忆阻器的作用。 我们使用忆阻器模型建立基于忆阻器的四维（4D）混沌系统，该系统可以生成三卷混沌吸引子。 通过调整系统参数，所提出的混沌系统执行超混沌。 相图，李雅普诺夫指数，分岔图，平衡点和稳定性分析已用于研究该混沌系统的基本动力学。 电路实现与数值仿真的一致性验证了系统设计的有效性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38731027

  1. 多维遗忘忆阻器模型的行为

  2. 多维遗忘忆阻器模型的行为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：391168
    • 提供者：weixin_38649356

  1. 基于多层RTD忆阻器的细胞神经网络用于彩色图像处理

  2. 相信每个单元中具有多个状态变量的多层细胞神经网络（CNN）与多个动态规则相关联，比单层CNN具有更强大的数据计算和信号处理能力，特别适合解决复杂问题。 但是，目前，基于传统的基于CMOS的技术，它们的大规模集成硬件实现仍然具有很大的挑战性，这是因为其电路复杂性很高，因此其应用在实践中受到了限制。 本文提出了一种基于纳米尺度，谐振隧穿二极管和忆阻器的新型紧凑型多层CNN模型。 更具体地说，在此模型中，一个多层CNN单元由位于不同层中的几个子单元组成。 具有量子隧穿引起的非线性和独特的折叠电流-电压

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-06
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38518376

  1. 基于自旋电子忆阻器的PID控制器

  2. 在发现惠普（HP）TiO2忆阻器后不久，便根据磁学原理提出了自旋电子忆阻器。 与TiO2忆阻器不同，自旋电子忆阻器的电阻不仅取决于通过器件的电压和电流的历史曲线，而且还与电流密度密切相关。 在这项工作中，我们回顾了基于磁性理论的自旋电子忆阻器件的数学模型，并详细分析了其忆阻效应。 然后，我们提供了一个相应的Simulink模型。 此外，通过将自旋电子忆阻器集成到传统的PID控制电路中，研究了一种新型的紧凑型忆阻PID控制器的实现方法。研究结果可能有助于现代控制技术的进一步发展，特别是在微控制器的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：835584
    • 提供者：weixin_38537684

  1. 忆阻器的图形用户界面设计及在交叉阵列存储中的应用

  2. 研究了忆阻器的电荷控制和磁通量控制模型,构建了忆阻器Simulink模型,并对其仿真结果进行特性分析.提出了一种用于图像存储的忆阻器交叉阵列,可以实现黑白、灰度图像的存储和输出,并设计了基于Matlab的图形用户界面,通过选择和设定输入电压和图像类型、参数大小,便能直观准确地反映出忆阻器的行为特性及在二值和灰度图像上的存储特性,为更加方便地研究忆阻器及应用提供了有效的方法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38592502

  1. 基于忆阻器的分叉分析混沌系统

  2. 本文通过将HP TiO2忆阻器纳入典范的Chen混沌系统中，提出并研究了基于忆阻器的混沌系统。 更精确地，引入具有一些适当边界条件的电荷控制忆阻器模型。 公式化了电荷和通过忆阻器的通量之间的关系，然后将其用作构造的混沌系统中的非线性项。 通过计算Lyapunov指数谱和Lyapunov维数，观察混沌吸引子，分析分叉，证明了忆阻器系统的丰富动力学行为。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：325632
    • 提供者：weixin_38518958

  1. 可调忆阻器模型及其在小世界神经网络中的应用

  2. 本文介绍了由惠普（HP）实验室发现的TiO2薄膜忆阻器的新型数学模型。 我们提出的模型通过使用分段线性窗函数来考虑边界条件和非线性离子漂移效应。 与窗口功能关联的四个可调参数使模型能够捕获物理HP忆阻器的复杂动态。 此外，我们利用提出的忆阻器模型实现了突触连接，并为小世界多层神经网络提供了一种实现方案。 给出了仿真结果，以验证数学模型和神经网络在非线性函数逼近中的性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38687343

  1. 基于基于忆阻器的联想记忆神经网络的情感建模

  2. 使用纳米级忆阻器实现紧凑且节能的突触元件引起了人们对构建神经网络电路的广泛兴趣。 忆阻神经网络不仅可以提供强大的计算能力，而且还表现出智能行为，例如认知和联想记忆。 本文设计了一种具有联想记忆和记忆丧失特性的基于忆阻器的联想记忆神经网络（m-ASNN），并进一步用于反映人类在社会关系中的情感。 具体而言，提出了具有编程阈值和遗忘特性的压控忆阻器模型，并将其用作1 M（忆阻器）电子突触。 这样的忆阻器突触可以学习和存储信息，并且对于其突触前和突触后神经元的活动具有可塑性，例如生物突触。 此外，建立

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38502814

  1. 忆阻器建模-静态，统计和随机方法

  2. 自从2008年被HP Lab重新发现以来，忆阻器是第四种无源电路元件，引起了越来越多的关注。记录电压/电流历史曲线的独特特性为将来的神经形态计算系统设计创造了巨大的潜力。 然而，在纳米级，忆阻器器件制造中的Craft.io变化控制非常困难。 过程变化对依赖忆阻器连续（模拟）状态的忆阻系统的影响可能很大。 另外，已经广泛观察到随机切换行为。 为了便于研究基于忆阻器的硬件实现，我们比较并总结了不同的忆阻器建模方法，从简单的静态模型到考虑到过程变化影响的统计分析，以及基于实际实验测量值的随机行为模型。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：414720
    • 提供者：weixin_38527987

  1. 一种改进的WOx 忆阻器模型及其突触特性分析

  2. 一种改进的WOx 忆阻器模型及其突触特性分析

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：715776
    • 提供者：weixin_38668274

  1. 忆阻器Simulink建模和图形用户界面设计

  2. 研究了惠普忆阻器的电荷控制和磁通量控制模型,构建了忆阻器的 Simulink 模型,给出了相应的仿真结果 .设计了一种基于 MATLAB 的图形用户界面,能直观地展示忆阻器特性 . 通过该界面,可以选择或设定输入电压的类型、参数及忆阻器模型的参数,简单方便地观察对应的输出结果,为人们更直观地学习和研究忆阻器提供一种有效的方法 .

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-21
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38599518
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