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  1. 忆阻器的发展与应用

  2. 忆阻器还能让电脑理解以往搜集数据的方式，这类似于人类大脑搜集、理解一系列事情的模式，可让计算机在找出自己保存的数据时更加智能。比如，根据以往搜集到的信息，忆阻器电路可以告诉一台微波炉对于不同食物的加热时间。

  3. 所属分类：数据库

    • 发布日期：2012-05-28
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：dpaly

  1. 忆阻器的发展

  2. 1. 提出与产生 1971年，柏克莱加州大学蔡少棠预测了忆阻器的存在 电阻： （1） 电感： （2） 电容： （3） 当中q是电荷；I是电流；V是电压；而ΦB则是磁通量。 从而可以推断出还存在一种联系磁通量和电荷的元器件，命名为忆阻器，英文名称为memristor,即为memory resistor 记忆电阻的意思。在忆阻器中，磁通量 受到积累电荷q所影响。磁通量按电荷的改变率称之为“忆阻值” 根据法拉第电磁

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-05-07
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：why0521

  1. 单片机与DSP中的3D忆阻器混合芯片面世 实现人工神经网络

  2. 忆阻器技术在惠普实验室诞生以来取得了长足的发展。在加利福尼亚大学伯克利分校举行的一次研讨会上，惠普实验室向我们展示了首个三维忆阻器混合芯片。     该忆阻器及忆阻系统研讨会是由加利福尼亚大学，美国半导体行业协会和美国国家科学基金会共同举办。会上惠普实验室（位于加州的PaloAlto）提供了该芯片原型的设计细节：该芯片是惠普实验室的研究人员QiangfeiXia通过在一块CMOS逻辑芯片表面上堆叠忆阻器交叉开关矩阵记忆单元完成的。         惠普实验室的研究员，同时也是忆阻系统记忆

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38630091

  1. 纳米级尺寸参数对钛氧化物忆阻器的特性影响

  2. 随着忆阻器研究的不断深入, 忆阻器的研究已经进入微观阶段, 包括忆阻器内部结构的探究、内部粒子间的运动规律、各参数对忆阻器特性的影响等. 然而, 这些成果中没有关于尺寸参数对忆阻器特性影响的研究,而尺寸参数是忆阻器成功制备的关键因素之一, 这大大限制了忆阻器的发展和实际应用. 本文从欧姆电阻定律入手, 从理论角度详细分析了尺寸参数对惠普忆阻器以及自旋忆阻器的性能影响. 在此基础上进行了一系列电路仿真实验, 得到不同尺寸参数下忆阻器的相关特性曲线. 文中各选取其中最具代表性的四组实验结果进行展示,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-06
    • 文件大小：526336
    • 提供者：weixin_38547397

  1. 基于忆阻器的混沌系统及其现场可编程门阵列的实现

  2. 纳米级忆阻器可以代替混沌系统的非线性部分，这可以大大减小混沌系统的物理尺寸。 更重要的是，它可以增强混沌系统的复杂性和信号的随机性。 本文基于一种新型的三维自主混沌系统，设计了一种基于忆阻器的新型混沌系统。 为了研究忆阻系统的复杂动力学特性，通过理论推导，数值模拟，平衡点的稳定和李雅普诺夫指数谱来研究混沌系统。 还详细讨论了不同参数对系统的相图和平衡点稳定性的影响。 有趣的是，当系统参数a和c取不同的值时，系统平衡点的位置和稳定性将发生变化，然后系统的两个涡旋将以不同的角度翻转，并产生不同的度数

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38622777

  1. 基于自旋电子忆阻器的PID控制器

  2. 在发现惠普（HP）TiO2忆阻器后不久，便根据磁学原理提出了自旋电子忆阻器。 与TiO2忆阻器不同，自旋电子忆阻器的电阻不仅取决于通过器件的电压和电流的历史曲线，而且还与电流密度密切相关。 在这项工作中，我们回顾了基于磁性理论的自旋电子忆阻器件的数学模型，并详细分析了其忆阻效应。 然后，我们提供了一个相应的Simulink模型。 此外，通过将自旋电子忆阻器集成到传统的PID控制电路中，研究了一种新型的紧凑型忆阻PID控制器的实现方法。研究结果可能有助于现代控制技术的进一步发展，特别是在微控制器的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：835584
    • 提供者：weixin_38537684

  1. 基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关特性与机理研究

  2. 采用简单的一步水热法在FTO导电玻璃上外延生长了锐钛矿TiO2纳米线,制备了具有Au/TiO2/FTO器件结构的锐钛矿TiO2纳米线忆阻器,系统研究了器件的阻变开关特性和开关机理.结果表明,Au/TiO2/FTO忆阻器具有非易失的双极性阻变开关特性.同时,在103s的时间内,器件在0.1 V的电阻开关比始终保持在20以上,表明器件具有良好的非易失性.此外,器件在低阻态时遵循欧姆导电特性,而在高阻态时则满足陷阱控制的空间电荷限制电流传导机制,同时提出了基于氧空位导电细丝形成与断开机制的阻变开关模型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38628953

  1. 基于改进忆阻细胞神经网络的彩色图像边缘提取

  2. 细胞神经网络具有局部互联结构和高速并行处理的能力, 被广泛应用于图像处理. 然而, 一方面, 现有处理方法大多采用固定模板, 在处理实际复杂图像时难以得到较好的效果. 另一方面, 因传统CMOS 工艺发展瓶颈, 利用其实现大规模细胞神经网络变得不切实际. 本文首先以人眼感知原理为基础, 考虑图像中各个像素空间分布的影响, 提出了一种新型阈值自适应算法, 其克服了传统边缘提取算法的局限性. 利用具有独特开关转换机制、非易失性和纳米级尺寸等优点的新型非线性两端电路元件忆阻器来解决CNN 的硬件实现难

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-30
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38551837