Numonyx Omneo 相变存储器大幅提升写入性能和耐写次数 　　嵌入式应用系统的最佳选择 　　日前，恒忆(Numonyx)宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产，并向市场供货。 　　这种新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的优点于一身，一颗存储器芯片即可实现很多新功能。今天，新产品发布采用了新品牌

恒忆（Numonyx）作为相变存储技术（PCM）的创新者，宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产，并向市场供货。 　　这种新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的优点于一身，一颗存储器芯片即可实现很多新功能。今天，新产品发布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM，其写入速度有望达到现有闪存的300倍，

恒忆 (Numonyx) 宣布推出 Velocity LP NV-RAM 产品系列，此系列是最快速的低功耗双倍数据传输速率 (LPDDR) 非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装置在提供高动态随机存储器（DRAM）内容平台低成本解决方案的同时，还可达到比传统NOR Flash存储器快两到三倍读取频宽的性能。恒忆 Velocity LP NV-RAM 系列的推出为该公司未来相变存储器 (PCM) 产品提供了无缝的绝佳架构途径。