闪存芯片供应商意法半导体近日采用90nm制造工艺的128Mbit NAND闪存NAND128W3A2BN6E。 　　NAND128W3A2BN6E 是一个采用TSOP封装的3V产品，以消费电子产品为目标应用。另两款产品256Mbit和512Mbit的NAND闪存（均有3V 和1.8V两个版本）也将在今后几个月内过渡到90纳米制造工艺。 　　NAND128具有超高速的数据吞吐量和擦写能力，该系列产品的地址线路和数据输入/输出信号都通过一个8位总线多路传输，从而降低了芯片的引脚数量，并允许使用一