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搜索资源列表

  1. verilogFLASH读写时序

  2. 本文件为用Verilog写的FLASH S29AL032D读和擦除的驱动时序，对刚学习Verilog的同学有一定帮助，已在DE2开发板上验证。

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2009-07-02
    • 文件大小：1024
    • 提供者：wc34100628

  1. DSP操作FALSH 29F016(包括读，写，擦除等).rar

  2. DSP操作FALSH 29F016(包括读，写，擦除等).rar

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2009-09-09
    • 文件大小：1024
    • 提供者：greenpine123

  1. 基于AT89C52单片机的SD卡读写设计.doc

  2. 长期以来，以Flash Memory为存储体的SD卡因具备体积小、功耗低、可擦写以及非易失性等特点而被广泛应用于消费类电子产品中特别是近年来，随着价格不断下降且存储容量不断提高，它的应用范围日益增广

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2009-10-20
    • 文件大小：44032
    • 提供者：guijinwen

  1. MSP430读写擦除FLASH程序

  2. 这是一个很经典的资料，MSP430读写擦除FLASH程序！

  3. 所属分类：Flash

  1. 基于AT89C52单片机的SD卡的读写设计

  2. 　长期以来，以Flash Memory为存储体的SD卡因具备体积小、功耗低、可擦写以及非易失性等特点而被广泛应用于消费类电子产品中。特别是近年来，随着价格不断下降且存储容量不断提高，它的应用范围日益增广。当数据采集系统需要长时间地采集、记录海量数据时，选择SD卡作为存储媒质是开发者们一个很好的选择。在电能监测以及无功补偿系统中，要连续记录大量的电压、电流、有功功率、无功功率以及时间等参数，当单片机采集到这些数据时可以利用SD作为存储媒质。本文主要介绍了SD卡在电能监测及无功补偿数据采集系统中的

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-03-15
    • 文件大小：156672
    • 提供者：xxxiao10

  1. STM32基于rt_thread操作系统的SDHC卡文件系统读写以及RT_GUI+触屏

  2. 经过了努力，查找了很多资料，终于可以利用STM32的SDIO操作文件系统读写了，但是发现为文件命名有问题，要熟悉rt_thread系统的可以上他官网下载说明书，地址:http://www.rt-thread.org/ 算是对它的一个宣传吧。 这里我是修改了下速度擦人sdcard.c里的一些内容使他可以操作我的金士顿4GSD2.0卡。 目前是可以正常操作的，工作在四位总线24MHZ DMA模式。 在这里介绍下经验，很多操作没有反应是因为缺少了必要的延时，因为sd卡处理命令也是要时间的，单片机发送

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-05-29
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：xuzhenglim

  1. 宏晶科技用c语言实现的EEPROM完整底层驱动程序，包括擦除、读写，flash保护等

  2. 宏晶科技用c语言实现的EEPROM完整底层驱动程序，包括擦除、读写，flash保护等

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-06-01
    • 文件大小：41984
    • 提供者：sgs570

  1. NAND_FLASH_内存详解与读写寻址方式

  2. 一、内存详解 NAND 闪存阵列分为一系列128kB 的区块(block)，这些区块是NAND 器件中最小的可擦除实 体。擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(而所有字节(byte)设置为FFh)。有必要通过编程， 将已擦除的位从"1"变为"0"。最小的编程实体是字节(byte)。一些NOR 闪存能同时执行读写操作(见 下图1)。虽然NAND 不能同时执行读写操作，它可以采用称为"映射(shadowing)"的方法，在系 统级实现这一点。这种方法在个人电脑上已经沿用多年，即将BIO

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-10-01
    • 文件大小：393216
    • 提供者：liang00fan4

  1. stm8FLASH底层擦写函数

  2. STM8A的FLASH底层驱动程序，包括擦写读等

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2011-03-24
    • 文件大小：5120
    • 提供者：Superzhuhit

  1. 基于MSP430的flash擦除读写操作代码

  2. 基于MSP430的flash擦除读写操作代码 对AT45DB161D的整扇擦除，对单独页得擦除 写主存 写缓冲区 读主存 读缓冲区

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2011-05-13
    • 文件大小：43008
    • 提供者：yongli_forever

  1. 基于FPGA的SD卡读写和擦除

  2. 基于FPGA的SD卡读写和擦除基于FPGA的SD卡读写和擦除

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-09-26
    • 文件大小：496640
    • 提供者：w349292899

  1. NOR_FLASH_读写指南

  2. 该文档详细的区分对不不同bit的NOR_FLASH的擦除 读写 的区别

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2011-12-22
    • 文件大小：291840
    • 提供者：qb591035221

  1. C8051F120 Flash 擦写读等操作子程序

  2. 适用于C8051F12X 13X系列单片机

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2013-12-13
    • 文件大小：5120
    • 提供者：bywith777

  1. PIC24F64GA705FLASH读写操作

  2. PIC24F64GA705FLASH读写操作，，编程语言为C语言，可进行8位数据擦写操作

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2018-06-23
    • 文件大小：2048
    • 提供者：weixin_34236019

  1. STM32调试过程中读保护写保护造成的无法擦写芯片问题

  2. STM32调试过程中，读保护，写保护造成的无法擦写芯片问题的解决办法和相关讨论。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-25
    • 文件大小：56320
    • 提供者：weixin_38689027

  1. 专用芯片技术中的用变址寻址原理突破EEPROM存储器的擦写寿命极限

  2. 一般地,EEPROM存储器(如93C46/56/66系列)的擦写次数为10万次,超过这一极限时,该单元就无法再使用了。但在实际应用中，可能有些数据要反复改写。这时，可通过变址寻址的方式来突破EEPROM存储器的擦写寿命极限。　　我们有一个单字节的数据要保存在E2PROM(93C56)中，可按以下方法来做：　　1、将93C56的00H单元定义为地址指针存放单元。　　2、将要寻址的单元地址(假设为01H)放入93C56的00H地址中。　　3、每次要对E2PROM中的数据进行读写时，先读取00H中的数

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38647925

  1. 基于I2C接口EEPROM读写控制器设计

  2. 简单介绍I2C总线协议，用Altera公司的FPGA（现场可编程门阵列）芯片设计I2C总线接口控制器，用于控制EEPROM（带电可擦写可编程只读存储器）的读写操作。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：392192
    • 提供者：weixin_38584148

  1. 单片机与DSP中的基于AT89C52单片机的SD卡读写设计

  2. 长期以来，以Flash Memory为存储体的SD卡因具备体积小、功耗低、可擦写以及非易失性等特点而被广泛应用于消费类电子产品中。特别是近年来，随着价格不断下降且存储容量不断提高，它的应用范围日益增广。当数据采集系统需要长时间地采集、记录海量数据时，选择SD卡作为存储媒质是开发者们一个很好的选择。在电能监测以及无功补偿系统中，要连续记录大量的电压、电流、有功功率、无功功率以及时间等参数，当单片机采集到这些数据时可以利用SD作为存储媒质。本文主要介绍了SD卡在电能监测及无功补偿数据采集系统中的应用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：189440
    • 提供者：weixin_38538224

  1. 用存储器映射的方法实现片外FLASH的擦写

  2. 1引言 在DSP系统的设计中，经常要使用片外存储器扩充系统存储空间。特别是当DSP的片内数据存储器和程序存储器容量比较小时, 必须把一部分数据，如常量、原始数据库等存储到片外的存储器中，从而节省DSP芯片内部的存储器资源。在实际应用中，片外存储器通常选择RAM或FLASH MEMORY。RAM数据掉电即丢失，不适合长期保存数据。对于一些无需频繁读写但需要长期保存的数据，如字模数据、端口地址等时，通常选择片外FLASH作伪扩展的数据存储器。使用片外 FLASH必须要解决对其擦写的问题。 在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38665944

  1. 基于双半导体光放大器的读/写分别控制的新型全光缓存器

  2. 全光缓存器能够在光域内对数据包进行缓存,解决数据包在节点的冲突。提出了一种新型可擦写的全光缓存器,该缓存器以半导体光放大器(SOA)为非线性相移器件,利用信号光和控制光在半导体光放大器中的交叉相位调制实现信号在光域内的 “写入”和“读出”。在注入信号峰值功率相同的条件下,双半导体光放大器结构的采用还可以对信号光实现功率补偿,比利用单个半导体光放大器进行“写入/读出”控制延长了缓存时间,并能有效克服在数据包”写入”缓存器时造成的输出端口处信号光的泄漏。该缓存器顺利实现了2.5 Gb/s数据包的多圈

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：789504
    • 提供者：weixin_38629920
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