尽管这一材料体系的PIN通常只含有AlGaSb，但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用LPE方法在350～500＇C温度下生长在GaSb衬底上，较低的温度用来生长重掺杂P型，较高的温度用来生长N型，′通过用掺碲和掺锗的方法来实现N型和P型掺杂。 　　第一支该材料的二极管如图1（a）所示［14］，它具有GaSb/AlGaSb异质结构，量子效率达到了54%，响应波长为1 ptm到1.7 ptm。通过在异质结间加一层本征AlGaSb层实现PIN结构如图1（b）所示，同时响应波长降到了1.3 gm。图

图1（a）是一个典型的异质结PIN［13］，P型和N型区域均为InP，本征层In1 ，Ga，As生长在N型InP衬底上。当X=0.47时InGaAs和InP之间晶格匹配，并且窄的禁带宽度能使光谱响应达到1.65 gm。由于InP的禁带较宽（1.34 eV），根据式（3－5）可知它的本征吸收截止波长为0.92 gm。因此对于波长大于0.92 gm的入射光InP呈透明状态，如图1（b）所示。通过消除表面p＋－InP的吸收增加了入射光在本征区的吸收，有效地提高了响应度。表面吸收的消除还使得在0.92