目前广泛使用的摄像器件是CCD型摄像器件。CCD于1970年由贝尔实验室发明［82］，此后关于CCD的研究蓬勃发展，CCD最小像素尺寸由1972年的40um减小到了1995年的5 gm，像素单元也从最早的不足2000增加到两千六百多万［83］。CCD型摄像器件包括三个部分：进行光电转换的光电探测器阵列部分、移位寄存器电荷转移部分、MOSFET源跟随输出部分。光电转换部分利用普通PN二极管就可实现，其中最重要的、也是CCD区别于其他摄像器件的部分是移位寄存器电荷转移部分。CCD电荷转移由一系列紧密

将多个PN型光电探测器组成阵列，可以形成光电成像系统中的摄像器件。摄像器件的功能是将照射到探测器阵列上的光学图像信息以电信号形式按时序串行输出。常见的固体摄像器件有CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型摄像器件和CCD（ChargeCoupled Device）型摄像器件。CMOS型摄像器件的像素基本结构如图1所示，类似于一个普通的CMOS管。利用源极N＋注入和P型衬底形成的pn结光电二极管作为光敏元吸收入射光。当pn结反偏时，光电二级管吸收