将两种亲水表面（如二氧化硅）紧密接触可以形成很强的键合。这种现象使BESOI法在20世纪70年代就发展起来了。 　　BESQI的制作分如下三个步骤：（1）氧化两个基片，为键合做准备；（2）化学键合两个氧化基片；（3）减薄其中一个基片。 　　键合化学法较复杂，这里就不详述了。在一般情况下，首先在室温下进行初步键合，然后再在1100℃的高温下增加键合强度。 　　硅片减薄有几种不同的工艺，最通常的是化学机械抛光（CMP），这是微电子领域广泛应用的一种基片平坦化方法。但其平坦度不高，通常表层硅为1