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  1. 三位数字电容表说明书

  2. 课 程 设 计 任 务 书 课程设计题目 三位数电容表 功能 技术指标 设计一个电路简洁、精度高及测量范围宽的电容表，将待测电容的电容值显示到数码管，可显示 三位数字 工作量 适中 工作计划 3月8日 查资料，分析原理 3月9日 画原理图，列元器件表 3月11日 购买元器件 3月12日 安装电路 3月14日 电路调试 3月19日 结题验收 3月20日 撰写说明书 3月25日 交说明书并准备答辩 3月26日 答辩 指导教师评语 指导教师： 2010年3月 23日 目录 第1章 绪论 1 1.1设

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-04-13
    • 文件大小：563200
    • 提供者：shijincan

  1. 实验四 晶体管单级放大电路的测试与分析

  2. 1. 对晶体管单级放大电路的各项指标进行测量。 2．加深对晶体管单级放大电路原理的理解。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-08-12
    • 文件大小：54272
    • 提供者：wuhuanpt

  1. Multisim 仿真电路系列 通信电路

  2. Multisim 仿真电路系列－通信电路 100T高频信号.ms8 24.48M非门振荡器.ms8 465中频滤波器.ms8 8.25MHZ电容三点式振荡器.ms8 AM---DSB信号产生器.ms8 Circuit2.ms8 FM----FM+PM.ms8 FM解调.ms8 fsk信号.ms8 LC正弦波振荡器基本要点.ms8 LC自由振荡时的情况.ms8 两个信号作用下的幂级数分析法.ms8 串联回路特性.ms8 乘法器混频.ms8 乘法混频1.ms8 乘积型同步检波(检波DSB、SSB)

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2011-03-18
    • 文件大小：10485760
    • 提供者：wang412664752

  1. ads2008射频电路设计与仿真实例01

  2. 由于资源太大，我把他分成了01-10，您可以下载时点击"上传者"进入后，依次下载完毕即可。 这是很经典的ADS教程 对于学习射频电路设计也是很好的书。 目录如下： 第1章 ADS2008简介 1.1 ADS与其他电磁仿真软件比较 1.2 ADS2008的新功能及其安装 1.2.1 概述 1.2.2 ADS2008的新功能 1.2.3 ADS2008的安装 第2章 ADS2008界面与基本工具 2.1 ADS工作窗口 2.1.1 主窗口 2.1.2 原理图窗口 2.1.3 数据显示窗口 2.1.

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-10-05
    • 文件大小：44040192
    • 提供者：lp593258301

  1. ads2008射频电路设计与仿真实例02

  2. 由于资源太大，我选择的分开上传（01-10），下载时请点击“上传者”，进入后依次下载即可。 全书目录如下： 第1章 ADS2008简介 1.1 ADS与其他电磁仿真软件比较 1.2 ADS2008的新功能及其安装 1.2.1 概述 1.2.2 ADS2008的新功能 1.2.3 ADS2008的安装 第2章 ADS2008界面与基本工具 2.1 ADS工作窗口 2.1.1 主窗口 2.1.2 原理图窗口 2.1.3 数据显示窗口 2.1.4 Layout版图工作窗口 2.2 ADS基本操作 2

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-10-05
    • 文件大小：46137344
    • 提供者：lp593258301

  1. ads2008射频电路设计与仿真实例(03,04,06)

  2. 由于资源太大，我选择的分开上传（01-10），下载时请点击“上传者”，进入后依次下载即可。 全书目录如下： 第1章 ADS2008简介 1.1 ADS与其他电磁仿真软件比较 1.2 ADS2008的新功能及其安装 1.2.1 概述 1.2.2 ADS2008的新功能 1.2.3 ADS2008的安装 第2章 ADS2008界面与基本工具 2.1 ADS工作窗口 2.1.1 主窗口 2.1.2 原理图窗口 2.1.3 数据显示窗口 2.1.4 Layout版图工作窗口 2.2 ADS基本操作 2

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-10-05
    • 文件大小：46137344
    • 提供者：lp593258301

  1. ads2008射频电路设计与仿真实例05

  2. 由于资源太大，我选择的分开上传（01-10），下载时请点击“上传者”，进入后依次下载即可。 全书目录如下： 第1章 ADS2008简介 1.1 ADS与其他电磁仿真软件比较 1.2 ADS2008的新功能及其安装 1.2.1 概述 1.2.2 ADS2008的新功能 1.2.3 ADS2008的安装 第2章 ADS2008界面与基本工具 2.1 ADS工作窗口 2.1.1 主窗口 2.1.2 原理图窗口 2.1.3 数据显示窗口 2.1.4 Layout版图工作窗口 2.2 ADS基本操作 2

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-10-05
    • 文件大小：46137344
    • 提供者：lp593258301

  1. ads2008射频电路设计与仿真实例07

  2. 由于资源太大，我选择的分开上传（01-10），下载时请点击“上传者”，进入后依次下载即可。 全书目录如下： 第1章 ADS2008简介 1.1 ADS与其他电磁仿真软件比较 1.2 ADS2008的新功能及其安装 1.2.1 概述 1.2.2 ADS2008的新功能 1.2.3 ADS2008的安装 第2章 ADS2008界面与基本工具 2.1 ADS工作窗口 2.1.1 主窗口 2.1.2 原理图窗口 2.1.3 数据显示窗口 2.1.4 Layout版图工作窗口 2.2 ADS基本操作 2

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-10-05
    • 文件大小：45088768
    • 提供者：lp593258301

  1. ads2008射频电路设计与仿真实例（08，10）

  2. 由于资源太大，我选择的分开上传（01-10），下载时请点击“上传者”，进入后依次下载即可。 全书目录如下： 第1章 ADS2008简介 1.1 ADS与其他电磁仿真软件比较 1.2 ADS2008的新功能及其安装 1.2.1 概述 1.2.2 ADS2008的新功能 1.2.3 ADS2008的安装 第2章 ADS2008界面与基本工具 2.1 ADS工作窗口 2.1.1 主窗口 2.1.2 原理图窗口 2.1.3 数据显示窗口 2.1.4 Layout版图工作窗口 2.2 ADS基本操作 2

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-10-05
    • 文件大小：24117248
    • 提供者：lp593258301

  1. Multisim 仿真电路系列－通信电路

  2. 包括有通信原理中的简单电路的仿真文件 100T高频信号.ms8 24.48M非门振荡器.ms8 465中频滤波器.ms8 8.25MHZ电容三点式振荡器.ms8 AM---DSB信号产生器.ms8 Circuit2.ms8 FM----FM+PM.ms8 FM解调.ms8 fsk信号.ms8 LC正弦波振荡器基本要点.ms8 LC自由振荡时的情况.ms8 两个信号作用下的幂级数分析法.ms8 串联回路特性.ms8 乘法器混频.ms8 乘法混频1.ms8 乘积型同步检波(检波DSB、SSB).m

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2014-02-26
    • 文件大小：10485760
    • 提供者：macroscofield

  1. 模电数电multisim仿真实例

  2. 最全的模电数电multisim仿真电路实例，只要1积分，包含 1-5-1a二极管仿真电路.ms9 1-5-2稳压管仿真电路.ms9 1-5-3BJT仿真电路.ms9 1-5-4aMOSFET仿真电路.ms9 10-10-1a单相桥式整流电路.ms7 10-10-2a桥式整流电容滤波电路.ms7 10-10-3硅稳压管稳压电路.ms7 10-10-4串联型直流稳压电路.ms7 10-10-5a三端集成稳压器-a.ms7 10-10-5b三端集成稳压器-b.ms7 10_循环计数器.ms9 2-9

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2016-11-13
    • 文件大小：20971520
    • 提供者：qq_32665431

  1. Chapter3_1双极型晶体管及其基本放大电路课件.pdf

  2. Chapter3_1双极型晶体管及 其基本放大电路 本章主要内容： 3.1 双极型晶体管 3.2 BJT基本放大电路直流分析方法 3.3 BJT基本放大电路交流分析方法 3.4 三种组态放大器的中频特性 3.5 单级共发放大器的频率特性 3.6 多级放大电路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-23
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_39840515

  1. multisim 基础实验指导.rar

  2. multisim 基础实验指导 要求完成静态工作点、输入输出电阻、输入输出波形、电压放大倍数、功率频率响应等的具体参数的测量。 目录如下： 第一章 MultiSIM9介绍和虚拟仪器使用 第二章 Multisim9的基本分析方法 实验一 单级放大电路 实验二 射极跟随器 实验四 差动放大电路 实验五 串联型晶体管稳压电路 实验六 OTL功率放大器 实验七 集成运算放大器运用的测量 实验八 波形发生器应用的测量 实验九 二阶低通滤波器 实验十 晶闸管可控整流电路

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-01-25
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：u011088212

  1. 三种IGBT驱动电路和保护方法.pdf

  2. 三种IGBT驱动电路和保护方法pdf,本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要求如下：1)提供适当的正向和反向输出电压，使IGBT可靠的开通和关断。2)提供足够大的瞬态功率或瞬时电流，使IGBT能迅速建立栅控电场而导通。3)尽可能小的输入输出延迟时间，以提高工作效率。4)足够高的输入输出电气隔离性能，使信号电路与栅极驱动电路绝缘。5)具有灵敏的过流保护能力。逻辑

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：284672
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电，因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题，希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-08-18
    • 文件大小：628736
    • 提供者：maosheng007

  1. 适用于功率运算放大器的输入级放大电路设计

  2. 基于70 V高压双极型工艺，设计了一种适用于单片高压功率运算放大器的输入级电路。该电路采用p沟道结型场效应晶体管(JFET)组成的差分对套筒式共源共栅(differential telescopic cascode)结构，具有低偏置电流、低失调电压、低失调电流、高共模抑制比的特点。以共集-共射（CC-CE）的放大电路结构作为该输入级电路的负载，减小对输入级影响的同时能够提高电压增益。Spectre仿真结果表明，输入偏置电流仅为20 pA，失调电压为0.11 mV，失调电流为0.57 fA，连接负

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：413696
    • 提供者：weixin_38657139

  1. 基础电子中的晶体管单级低频放大器实验原理

  2. 1．静态工作点及常用的偏置电路　　任何组态放大器的基本任务都是不失真地放大信号。合理地选取静态工作点是实现这一要求的前提。一般来说，静态工作点近似选在输出特性曲线上交流负载线的中点，以获得最大动态范围。若工作点选得太高或太低，则可能引起饱和失真和截止失真。对于小信号放大器来说，由于输出交流信号的幅度很小，非线性失真往往不是主要问题，因此工作点Q可按其他要求灵活考虑。如在不失真前提下，工作点选得高一点有利于提高放大倍数，而工作点选得低一点则有利于降低直流损耗和增大管子的输入电阻值rbe。  　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38732315

  1. 基础电子中的晶体管单级低频放大器实验内容

  2. 1．测定静态工作点　　基极选择分压偏置，RC=1.5KΩ,Re=Re1//Re2,RL=∞调节RP1，使UCE＝6V，测出Ub,UC,Ue。 表一　静态工作点测定 　　2，测定电压放大倍数 　　从输入端输入1kHz，5mV的正弦波信号U1，观察输出波形，若输出波形无明显失真，则测出输出电压UO，并算出其电压放大倍数（当RC的值变化时需重新调整静态工作点）： 图１　单管放大电路实验板电路图 表二 电压放大倍数的测量（Uce＝6V， Ui＝5mV） 　　3．*观察静态工作点对电压放大倍数的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：163840
    • 提供者：weixin_38698018

  1. 元器件应用中的CMOS工艺单片集成光电接收器

  2. 和利用双极工艺中隐埋层集电极实现探测器和接收器集成相比，利用CMOS工艺集成探测器接收器所需的额外工艺 步骤要少得多。利用自备低掺杂衬底，在双阱工艺基础上只需一层额外掩模版以掩蔽二极管区调整栅开启电压的 掺杂过程。为了得到较宽的耗尽区宽度以提高探测器速度和响应度，较低的外延层掺杂浓度是必需的。双极工艺中改变掺杂浓度会由于Kirk效应引起 电流增益和晶体管频率的下降，而在CMOS工艺中，由于N沟和P沟器件分别制作在阱中，因此外延层掺杂浓度的减 小对晶体管特性的影响较小。 　　图1是单电源工作的探

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：123904
    • 提供者：weixin_38714162

  1. 50W厚膜功率放大电路

  2. 图(a)是由STK084G厚膜功放构成的50W输出功率放大电路。STK084G是20kHz、50W时失真率达0.01％的厚膜集成芯片，其内部等效电路如图(b)所示。输入级是由VT4和VT5构成的电流镜像电路，把差动输出变换为单端输出，同时获得较大增益。中间级可处理较大振幅，决定转换速率，其工作电流应尽量大，采用VT8基极接地方式以减少密勒效应对高频特性的影响。VTl和VT6为恒流偏置电路，可以抑制电源变动对电路的影响。VT7用于输出晶体管偏置，消除基射极间电压Ube的不灵敏区，并进行温度补偿。输

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：248832
    • 提供者：weixin_38700790
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