半导体晶圆制造系统的时变多目标生产控制与实例分析，李衍飞，江志斌，半导体晶圆制造系统（SWFS）是典型的大规模复杂重入型制造系统。要解决SWFS全局生产调度优化及兼顾SWFS各区派工优化的实际问题，就必

集成电路的生产从抛光硅片的下料开始。图4.16的截面图按顺序展示了构成一个简单的MOS栅极硅晶体管结构所需要的基础工艺。每一步工艺生产的说明如下： 第一步：增层工艺。对晶圆表面的氧化会形成一层保护薄膜，它可作为掺杂的屏障。这层二氧化硅膜被称为场氧化层。 第二步：光刻工艺。光刻制程在场氧化层上开凹孔以定义晶体管的源极、栅极和漏极的特定位置。 第三步：增层工艺。接下来，晶圆将经过二氧化硅氧化反应加工。晶圆暴露的硅表面会生长一层氧化薄膜。它可作为栅极氧化层。 第四步：增层工艺。在第四步，晶圆上沉积一层

1． 说出一种增层的工艺。 2． 离子注入属于那一种基本的工艺方法？ 3． 列出最基本的四种工艺方法。 4． 将氧化/光刻/扩散的加工流程画成截面图解释。 5． 描述一下电路设计的复合图。 6． 那一种基本工艺方法用到掩膜版？ 7． 在电性测试是检测以下哪一参数？（晶圆厚度，缺陷密度，电路功能） 8． 在电路设计过程的哪一步运用CAD系统？ 9． 为什么要将芯片封装？ 10. 晶圆制造实例所讲的接触孔是什么作用？