依靠村田应用半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。支持引线键合和嵌入的薄型硅电容器，厚度仅为100μm（也能根据要求薄至80μm），对于需要去耦特性的设计人员而言，这是适合嵌入用途的解决方案。 　　依靠村田应用半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。支持